Сегодня 04 июля 2026
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Гегемония SK hynix нарушена: впервые в истории Samsung стала №1 по выпуску HBM

Долгое время способность в приличных количествах выпускать память типа HBM для нужд Nvidia обеспечивала компании SK hynix статус лидера в этом перспективном и доходном сегменте, и в определённый момент последняя обошла Samsung не только по прибыли, но и выручке. Как сообщают южнокорейские СМИ, в натуральном выражении Samsung недавно обошла SK hynix по объёмам выпуска HBM.

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

По информации Business Korea, недавно Samsung Electronics удалось выйти на ежемесячную обработку 170 000 кремниевых пластин с чипами HBM, тогда как до этого данное количество не превышало 150 000 кремниевых пластин в месяц. На новом рубеже Samsung оставляет позади компанию SK hynix, которая сейчас способна ежемесячно выпускать 160 000 кремниевых пластин с микросхемами памяти типа HBM.

По оценкам аналитиков, реванш Samsung стал возможен благодаря переориентации производственных линий с выпуска DRAM на производство HBM, а также совершенствованию техпроцессов, причём этим курсом корейский гигант двигался со второй половины прошлого года, во многом благодаря смене руководства подразделения DS, которая состоялась в мае 2024 года. К сентябрю этого года HBM3E производства Samsung наконец-то смогла пройти сертификацию Nvidia, хотя до этого страдала от перегрева и не могла удовлетворять всем требованиям этого заказчика. Samsung также начала снабжать подобной памятью Google, а разработанная не так давно HBM4 уже поставляется компанией своим клиентам в виде образцов.

Производственные линии P3 и P4 в Пхёнтхэке компания Samsung расширяет и переводит под выпуск кристаллов DRAM по передовому техпроцессу 1c шестого поколения, чтобы одновременно удовлетворить спрос на HBM. Было ускорено строительство линии P5, которая в будущем позволит увеличить объёмы производства памяти. Если Samsung делает упор на перевооружение существующих производств под нужды выпуска HBM, то SK hynix старается быстрее вводить в строй специализированные производственные мощности.

В следующем году, как ожидают эксперты, ежемесячные объёмы обработки 200 000 кремниевых пластин с HBM будут освоены как Samsung, так и SK hynix. До середины 2026 года преимущество будет сохраняться за первой из компаний, но если летом SK hynix введёт в строй предприятие M15X, то сможет перехватить инициативу.

В сегменте HBM4 успех обеих компаний будет зависеть от разных факторов. Если Samsung способна сама изготавливать адаптированные под нужды клиентов базовые кристаллы, то SK hynix будет вынуждена полагаться на услуги TSMC в этой сфере. В этом году доля HBM на рынке DRAM должна превысить 20 %, хотя ещё в прошлом году она составляла 8 %. При этом HBM выпускать выгоднее в 3–5 раз при нынешнем уровне цен, чем обычную DDR. Вертикальная интеграция бизнеса Samsung, по мнению некоторых экспертов, обеспечит ей определённые преимущества на рынке HBM.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
В 2028 году Samsung планирует выпустить серийный смартфон с рулонным дисплеем 25 мин.
Портативная консоль AyaNeo Next 2 на AMD Strix Halo выйдет на мировой рынок — цена флагмана составит $5300 27 мин.
Micron начала строительство ещё одного завода по производству памяти в Хиросиме — он заработает в 2028 году 33 мин.
Sony ограничила продажи дисководов для PS5 Digital Edition и PS5 Pro — из-за подскочившего спроса 2 ч.
Из-за складного iPhone цены на складные смартфоны вырастут в среднем почти на 20 % 2 ч.
Производители памяти призвали власти США отказаться от регулирования рынка, чтобы не стало ещё хуже 2 ч.
Alibaba представила ИИ-агента для поиска сверхпроводников — он сразу открыл четыре новых 2 ч.
Ampera напечатала на 3D-принтере малый ториевый реактор для питания дата-центров 3 ч.
DriveNets представила коммутаторы 2600SL и 2601S с 64 портами на 1,6 Тбит/с 4 ч.
Учёные создали в лаборатории модель чёрной дыры и испарили её 4 ч.