Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Китайская CXMT намерена первой в мире выпустить передовую DDR5 с вертикальными транзисторами
11.10.2026 [07:13],
Алексей Разин
Китайский производитель памяти CXMT рассчитывает к концу текущего года вывести на рынок серверные модули DDR5 RDIMM на чипах с перспективной архитектурой 4F2. Она предусматривает использование вертикальных транзисторов, которые позволяют увеличить плотность ячеек памяти. 
Источник изображения: CXMT Как сообщает BigGo Finance, президент CXMT Цао Каньюй (Cao Kanyu) рассказал о планах компании 10 октября на четвёртой Конференции по чипам и чиплетам. По его словам, разработка архитектуры 4F2 достигла существенного прогресса, а выпуск новых модулей DDR5 RDIMM ожидается до конца года. В основе технологии лежит транзистор VSG (Vertical Surrounded Gate) с вертикальным каналом, окружённым затвором. Такая конструкция улучшает управление током, помогает снизить утечки и уменьшить влияние эффектов короткого канала. Кроме того, она позволяет сократить площадь ячеек памяти и повысить плотность записи данных. Обозначение 4F2 описывает площадь, которую занимает одна ячейка памяти на кристалле. Здесь F — условный минимальный размер элемента структуры памяти, а число перед ним показывает, во сколько раз площадь ячейки превышает квадрат со стороной F. Архитектура 4F2 предполагает, что одна ячейка DRAM занимает площадь, равную четырём таким квадратам. Для сравнения, в распространённой архитектуре 6F2 на одну ячейку приходится шесть квадратов. Чем меньше площадь ячейки, тем больше их можно разместить на одном кристалле, а значит, тем выше может быть ёмкость микросхемы при сопоставимых размерах. Первые варианты 4F2 предусматривали использование планарных транзисторов, а производство ячеек памяти и периферийных логических схем зависело от общих условий литографии и легирования. Из-за этих ограничений ранние разработки уступали по совокупным характеристикам отработанным решениям класса 6F2. По мере того как возможности дальнейшего уменьшения ячеек 6F2 приближаются к технологическим пределам, производители исследуют трёхмерные варианты реализации 4F2. Среди возможных подходов — разделение процессов изготовления DRAM и КМОП-логики, а также гибридное соединение кремниевых пластин для организации высокоскоростных межсоединений. Это позволило бы независимо оптимизировать плотность ячеек и производительность логики. По словам Цао Каньюя, CXMT располагает более чем 300 опубликованными семействами патентов, связанными с архитектурой 4F2. Ориентация на продвижение памяти этого поколения в серверном сегменте подчёркивает амбиции компании по завоеванию рынка компонентов для инфраструктуры ЦОД. В сентябре генеральный директор компании Чжао Лунь сообщил, что в первом полугодии вклад серверных продуктов в бизнес производителя увеличивался. В последнее время CXMT ускорила освоение новых поколений памяти. В конце августа компания объявила о начале массового производства LPDDR6, став одной из первых, кто приступил к коммерциализации этого стандарта. В сентябре ChangXin Memory Technologies сообщила о запуске массового производства памяти DRAM пятого поколения (G5). По заявлению компании, её характеристики приближаются к уровню передовых мировых разработок. По данным Counterpoint Research, во втором квартале текущего года CXMT занимала около 7 % мирового рынка DRAM по выручке, располагаясь на четвёртом месте среди производителей. Samsung, SK hynix и Micron также разрабатывают память на основе архитектуры 4F2 или аналогичных трёхмерных решений. Если CXMT удастся выпустить новые модули в заявленные сроки и добиться их квалификации у заказчиков, компания сможет укрепить позиции на серверном рынке. Пока, однако, речь идёт о планах выпуска, а не о мировом первенстве в массовом производстве 4F2 DRAM. Аналитики ожидают обрушения спроса на ноутбуки в 2027 году из-за роста цен
10.10.2026 [15:29],
Анжелла Марина
В 2027 году мировой рынок ноутбуков столкнётся с ослаблением спроса из-за подорожания оперативной памяти, процессоров и других комплектующих. При неблагоприятном сценарии поставки устройств могут сократиться на величину, близкую к 10 %, если производители переложат большую часть дополнительных затрат на покупателей, прогнозируют аналитики. 
Источник изображения: notebookcheck.net По оценке TrendForce, первоначально ожидается снижение мировых поставок ноутбуков в 2027 году на несколько процентов. Однако рост стоимости DRAM и процессоров может заставить производителей повысить розничные цены, из-за чего пользователи будут дольше откладывать замену устройств. В таком случае годовое падение поставок может достичь высоких однозначных значений, то есть приблизиться к 10 %. В 2026 году рынок ПК поддержали улучшение доступности процессоров, заблаговременные закупки производителями компонентов и перенос части покупок на более ранние сроки. Однако это не означает полноценного восстановления спроса: часть пользователей приобрела ноутбуки раньше, чем планировала, поэтому в последующие периоды активность покупателей может снизиться. Дополнительным фактором станет постепенное исчерпание запасов комплектующих, закупленных по более низким ценам. 
Источник изображения: TrendForce Аналитики приводят в качестве примера ноутбуки массового сегмента с рекомендованной розничной ценой производителя (MSRP) в $900. В третьем квартале 2026 года процессор, оперативная память DRAM и накопитель SSD обеспечивали около 68 % стоимости его комплектующих. Поэтому дальнейшее подорожание этих компонентов может существенно повлиять на себестоимость готовых устройств. Производителям придётся выбирать между повышением цен, сокращением собственной прибыли и уменьшением характеристик ноутбуков, например, объёма оперативной памяти. Изменения могут затронуть и географию производства. Доля ноутбуков, выпускаемых за пределами Китая, сократится с 24 % в 2025 году до 21 % в 2026-м, а в 2027 году может опуститься ниже 20 %. На фоне роста затрат на логистику, закупку комплектующих и управление цепочками поставок производители могут вернуть часть мощностей в Китай, если давление со стороны пошлин не усилится. При этом дефицит DRAM может сохраниться из-за высокого спроса со стороны серверов для ИИ, тогда как ситуация с NAND Flash способна улучшиться во второй половине 2027 года благодаря вводу новых производственных мощностей. Дополнительное давление на отрасль оказывают печатные платы (PCB), многослойные керамические конденсаторы (MLCC) и микросхемы управления питанием (PMIC). На их стоимость и сроки поставок влияют распределение производственных мощностей, цены на сырьё и геополитические факторы. TrendForce считает, что в 2027 году ключевым вопросом станет уже не столько наличие комплектующих, сколько готовность покупателей платить за подорожавшие устройства. Если производители смогут частично компенсировать рост затрат и скорректировать конфигурации ноутбуков, спад поставок останется умеренным. Однако при полном переносе дополнительных расходов на потребителей он может оказаться значительно сильнее в 2027 году. Память продолжает кормить Samsung — прибыль взлетела почти в 9 раз до рекордных $80 млрд
08.10.2026 [10:23],
Алексей Разин
Крупнейший производитель памяти на этой неделе подвёл предварительные итоги третьего квартала. Операционная прибыль Samsung Electronics в годовом сравнении выросла в 8,8 раза до рекордных $80,2 млрд. Выручка увеличилась на 126,6 % до $145,7 млрд, по предварительным оценкам.  Во-первых, операционная прибыль компании по итогам прошлого квартала впервые преодолела планку в 100 трлн вон. Во-вторых, подобного уровня по показателям операционной прибыли в квартальном измерении до этого не достигала ни одна компания технологического сектора. Собственный прогноз Samsung по величине операционной прибыли оказался слегка выше консенсуса LSEG. Точные итоги третьего квартала Samsung Electronics подведёт в конце этого месяца. Последовательно операционная прибыль компании выросла на 20 %, тогда как выручка увеличилась на 13,7 % по сравнению со вторым кварталом текущего года. Рекордных показателей по операционной прибыли компания достигает уже четвёртый квартал подряд. Как предполагается, локомотивом прибыли и выручки выступило подразделение Samsung по выпуску микросхем памяти. В натуральном выражении Samsung остаётся крупнейшим поставщиком чипов памяти, но в сегменте HBM по-прежнему уступает конкурирующей SK hynix. Эксперты Douglas Research Advisory предполагают, что у Samsung объёмы поставок HBM в прошлом квартале последовательно выросли почти на 50 %. Аналитики TrendForce прогнозируют, что в четвёртом квартале контрактные цены на DRAM вырастут на величину от 10 до 15 % по сравнению с третьим. Если учесть, что во втором квартале они выросли почти на 60 %, то в ближайшие месяцы можно будет говорить о снижении темпов роста цен на память, если прогнозы оправдаются. Это может сказаться на темпах роста выручки производителей памяти, поскольку объёмы поставок продукции они наращивают не столь активно, как отпускные цены. Курс акций Samsung после публикации квартального отчёта снизился на 0,7 %, поскольку инвесторы насторожились по поводу дальнейших перспектив динамики финансовых показателей компании. Помимо прочего, рост цен на память вредит собственному бизнесу Samsung по производству электронных устройств, и это сказывается на доходности профильного подразделения. При этом аналитики Counterpoint Research оптимистично смотрят на дальнейшие перспективы бизнеса Samsung по производству памяти. По их прогнозам, цены на DRAM в третьем квартале должны были вырасти на 10–20 % в последовательном сравнении, хотя ранее эксперты рассчитывали на 5–10 %. По их мнению, покупатели запасаются памятью впрок, опасаясь дальнейшего повышения цен и усиления дефицита, тем самым ещё сильнее разгоняя цены. Выиграть от роста прибыли Samsung могут и рядовые сотрудники компании, занятые в производстве памяти. По условиям существующих договорённостей с профсоюзами, годовые премии сотрудников этого подразделения могут достичь $560 000 на человека, если операционная прибыль компании по итогам текущего года выйдет на уровень $276 млрд. По итогам трёх прошедших кварталов она уже приблизилась к $190 млрд, поэтому шансы на достижение целевого показателя для осуществления премиальных выплат в указанном размере сохраняются. Подорожание памяти DRAM и NAND в этом квартале замедлится — но совсем чуть-чуть
01.10.2026 [14:59],
Алексей Разин
Оперативная и флеш-память в наступившем четвёртом квартале будут дрожать не так быстро, как в предыдущем, прогнозируют аналитики TrendForce. В сегменте DRAM цены последовательно увеличатся на 10–15 %, а на направлении NAND они вырастут на 15–20 %. Лишь цены на SSD корпоративного класса продолжат свой стремительный рост. 
Источник изображения: Micron Technology В сегменте NAND, по мнению специалистов TrendForce, в текущем квартале будет наблюдаться некоторое расслоение тенденций. Инфраструктура ИИ продолжит испытывать дефицит флеш-памяти, а вот потребительский сегмент столкнётся со снижением спроса из-за высоких цен. В любом случае, цены в целом по рынку твердотельной памяти продолжат расти, и по итогам текущего квартала последовательно увеличатся в среднем на 15–20 %. В прошлом квартале они должны были увеличиться на 18–23 %. Цены на DRAM в прошлом квартале выросли на 13–18 %, но с учётом HBM прирост составил 8–13 %. В текущем квартале, по мнению представителей TrendForce, цены на классическую DRAM вырастут на 10–15 %, а с учётом HBM прирост составит от 15 до 20 %. В сегменте ПК цены на DRAM будут расти, что скажется на стоимости готовых компьютеров и негативно повлияет на спрос. Производители памяти при этом продолжат агрессивно наращивать свои запасы микросхем оперативной памяти, ожидая сохранения дефицита в 2027 году и дальнейшего роста цен. Формально, свои обязательства перед клиентами поставщики памяти в сегменте ПК выполняют на протяжении всего текущего года, но дефицит может усилиться в следующем году из-за высокого спроса на память в серверном сегменте. На серверном направлении спрос на DRAM продолжает расти по мере того, как ситуация с доступностью серверных процессоров начала улучшаться. Поставщики памяти увеличили долю модулей RDIMM небольшого объёма в структуре своей продукции. Тем не менее, на этапе изготовления микросхем памяти всё равно сохраняются «узкие места», а потому удовлетворить спрос не получается. Динамику цен позволяют сгладить долгосрочные контракты на поставку памяти, которые получили распространение в серверном сегменте. В мобильном сегменте на рынок продолжают давить нехватка микросхем памяти малой ёмкости и высокие цены. В то же время, память мобильных форматов пользуется растущей популярностью у производителей серверного оборудования, привлекая их своей энергетической эффективностью. В таких условиях цены на мобильную DRAM могут только расти в ближайшее время, пусть и не так активно, как в трёх предыдущих кварталах 2026 года. 
Источник изображения: TrendForce В сегменте графической памяти к GDDR6 присматриваются производители ПК в надежде сократить себестоимость готовой продукции. Микросхемы GDDR7 пока востребованы главным образом при производстве ИИ-ускорителей, но они пользуются более высоким спросом по сравнению с GDDR6. Проблема заключается в том, что производство GDDR6 постепенно сворачивается, а выпуск GDDR7 наращивается недостаточно быстро для насыщения рынка, а потому цены остаются высокими и продолжают подниматься дальше. В сегменте потребительской DRAM спрос подпрыгивает из-за влияния смежных частей рынка. Например, такие микросхемы востребованы производителями SSD, которые поставляются в серверном сегменте. Крупным производителям выпускать потребительскую DRAM уже не выгодно, поэтому рынок всё больше зависит от тайваньских поставщиков. К счастью, темпы роста цен немного снижаются. В сфере клиентских SSD производители ПК могут довольствоваться запасами продукции, изготовленной в первой половине текущего года. Производители ПК при этом стараются снижать ёмкость предлагаемых в составе своих систем накопителей, чтобы экономить на их закупке. В этом сегменте NAND-памяти по итогу требуется меньше, чем ранее. Ценовая политика поставщиков становится более гибкой и не провоцирует удорожания накопителей прежними темпами. Зато в серверном сегменте SSD спрос на накопители в ёмкостном выражении по итогам текущего года должен вырасти более чем на 80 %, поскольку они очень востребованы облачными провайдерами, расширяющими вычислительную инфраструктуру для ИИ. Развитие агентских приложений поднимает спрос на твердотельные накопители, которые ускоряют работу с данными по сравнению с классическими жёсткими дисками. Рост цен на SSD корпоративного класса в четвёртом квартале должен ускориться по сравнению с третьим. В сегменте eMMC и UFS (карт памяти) производители смартфонов предпочитают обходиться созданными ранее запасами, а производители бытовой электроники не торопятся приобретать такую память по текущим высоким ценам. Динамика спроса в результате не особо выражена в этой сфере. Закупки осуществляются минимальными партиями, предусмотренными соглашениями с поставщиками. Цены на кремниевые пластины для изготовления памяти NAND достигли исторических высот, а потому их потребители в лице производителей микросхем не торопятся закупать в необходимых количествах. В то же время, сами поставщики кремниевых пластин пытаются ограничивать предложение, чтобы не снижать цены и обеспечивать существующую прибыльность своего бизнеса. Опять же, сопротивление покупателей ограничит дальнейший рост цен на пластины. Micron: память продолжит дорожать в 2027 году, а дефицит может сохраниться даже после 2028 года
01.10.2026 [12:22],
Алексей Разин
Выручка Micron Technology в минувшем фискальном квартале выросла почти в четыре раза — до $54 млрд, а чистая прибыль взлетела почти в 12 раз — до $37,7 млрд на фоне высоких цен на память. Вместе с отчётом о финансах производитель заявил, что дефицит памяти сохранится как минимум до 2028 года, а может продлиться и за пределы этого периода, и цены продолжат расти в 2027 году. 
Источник изображения: Micron Technology С точки зрения динамики основных финансовых показателей в четвёртом квартале 2026 фискального года, который завершился в её календаре третьего сентября, Micron превзошла ожидания инвесторов. Выручка достигла $54,23 млрд против заложенных в прогноз $51,07 млрд, а удельный доход на одну акцию составил $33,42 против $31,61. В текущем фискальном квартале Micron рассчитывает выручить $61,5 млрд, тогда как аналитики в среднем рассчитывают на сумму около $57 млрд. С начала года курс акций Micron вырос более чем на 500 %, поскольку инвесторы увидели в производителях памяти одних из главных бенефициаров бума искусственного интеллекта. Микросхемы памяти требуются для элементов вычислительной инфраструктуры в больших количествах, а существенно нарастить объёмы их выпуска в сжатые сроки не получается. По итогам всего фискального 2026 года Micron увеличила свою выручку более чем в три раза — с $37,4 до $133,2 млрд. Чистая прибыль увеличилась на 895 % — до $85 млрд. Поставки DRAM в прошлом квартале принесли Micron $39,8 млрд, что почти в три с половиной раза больше результата аналогичного периода прошлого года. Фактически именно микросхемы оперативной памяти формировали 73 % всей выручки компании за период. Серьёзный вклад на этом направлении сделала дорогая и востребованная память класса HBM. По словам руководства Micron, компания располагает основательным перспективным планом по выпуску новых типов HBM и уже сотрудничает с Nvidia по кастомизации HBM4E (NV-HBM) с учётом пожеланий этого заказчика, рассчитывая стать первопроходцем в этой области. Micron, по словам генерального директора Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), уже распродала весь объём производства памяти на следующий год. Клиенты, как он добавил, будут платить за память гораздо больше, чем в этом году. «В календарном 2027, как и 2028 годах мы ожидаем увидеть превышение спроса над предложением. Фактически, мы видим более сильную нехватку в отрасли в 2027 и 2028 годах по сравнению с 2026 годом. В целом, ситуация со спросом и предложением становится всё более напряжённой», — подчеркнул Мехротра. Он добавил, что в Micron пока не видят на горизонте сроков достижения баланса между спросом и предложением на рынке памяти. Конкурирующая Samsung Electronics в прошлом месяце призналась, что распродала около 70 % всей памяти, которую собирается выпустить до 2031 года. К 2028 году Micron введёт в строй новые мощности по производству памяти, но они не смогут моментально устранить дефицит, как предупредило руководство компании. Только в первой половине текущего фискального года капитальные затраты компании составят $25 млрд. Спрос на HBM, например, растёт быстрее, чем на классическую DRAM серверного класса. Интересно, что это не помогает Micron больше зарабатывать на HBM в удельном выражении, поскольку продавать классическую DRAM сейчас выгоднее. Компания хочет найти способы повысить доходность своего бизнеса по производству и реализации HBM. Впрочем, выпуск обоих типов памяти, по меркам отрасли, весьма прибылен даже сейчас. В облачном сегменте бизнеса Micron может похвастать нормой прибыли в 83 %, хотя за год до этого показатель не превышал 59 %. На серверном направлении, где основным видом продукции является классическая DDR, компания продемонстрировала увеличение нормы прибыли с 41 до 90 %. В текущем квартале компания рассчитывает увеличить норму прибыли до 86,25 %. Выручка от реализации твердотельных накопителей (SSD) в серверном сегменте по итогам прошлого квартала приблизилась к $10 млрд, увеличившись в годовом сравнении более чем на 1000 %. Тенденции в развитии актуальных ИИ-моделей позволяют Micron рассчитывать на сохранение высокого спроса и на память типа NAND в серверном сегменте, используемую для хранения и скоростной обработки данных. Гендир Acer рассказал, когда цены на ПК перестанут расти и начнут снижаться
21.09.2026 [09:38],
Алексей Разин
В условиях, в которых сейчас находится отрасль по производству ПК, сложно находить поводы для оптимизма, но председатель совета директоров и генеральный директор Acer Джейсон Чэнь (Jason Chen) ожидает, что к середине следующего года цены на ПК достигнут своего пика, после чего начнут падать. Он также утверждает, что дефицит памяти DDR4 и DDR5 не так силён, как принято говорить.  Кроме того, как заявляет Economic Daily News со ссылкой на комментарии главы Acer, центральных процессоров производителям ПК вполне хватает. По крайней мере, дорогие модели процессоров доступны в адекватных количествах, а о дефиците если и можно говорить, то применительно к моделям среднего и начального ценовых уровней. Тем не менее, в текущем квартале цены на ПК успеют вырасти на величину от 5 до 20 %, по его словам, а своего пикового значения они достигнут к середине следующего года, после чего начнут снижаться. Относительно перспектив сохранения дефицита микросхем памяти глава Acer тоже настроен оптимистично. По его словам, новые производственные мощности будут вводиться в строй, и это решит проблему дефицита, ибо он не может длиться до самого 2030 года. Проблема в отрасли, по мнению Чэня, сейчас заключается в готовности поставщиков комплектующих отгружать свою продукцию по высоким ценам, особенно если говорить о модулях памяти и SSD, но при этом клиенты самой Acer не готовы покупать её продукцию по действующим ценам. Чем больше памяти установлено в конкретной модели ПК, тем сильнее она подорожает в ближайшие месяцы. Заметим, что производители памяти в своих прогнозах несколько менее оптимистичны. Они считают, что следующий год будет очень трудным для отрасли с точки зрения сближения объёмов спроса и предложения в сегменте памяти. При этом долгосрочные соглашения у многих поставщиков памяти уже подписаны на несколько лет вперёд, и об отставании предложения от спроса говорят даже представители компании Intel. Они же убеждены, что дефицит памяти сохранится минимум до 2028 года. Китайская CXMT запустила массовое производство памяти DRAM пятого поколения
20.09.2026 [11:29],
Владимир Фетисов
Китайский компания CXMT, занимающаяся производством памяти DRAM, объявила о начале массового производства чипов памяти пятого поколения. В компании это назвали прорывом, который поможет Поднебесной создать сильного конкурента Samsung, SK hynix и Micron на глобальном рынке чипов памяти. 
Источник изображения: CXMT Новая платформа предназначена для создания более производительных чипов памяти по более низкой цене и с меньшим энергопотреблением. CXMT, которая в этом году вышла на шанхайскую биржу STAR Market, заявила о готовности дать производителям электроники дополнительный источник поставок чипов для смартфонов и других устройств. CXMT, являющаяся крупнейшим китайским производителем памяти DRAM, заявила, что новая технология позволяет повысить плотность ячеек памяти и изготавливать больше чипов из одной кремниевой пластины. Производитель отмечает, что смог сократить расстояние между ячейками до 11,95 нм. Этого удалось добиться с помощью четырёхкратного экспонирования, то есть повторения процедуры нанесения рисунка на литографическом сканере четыре раза для формирования более тонких структур схем. «В настоящее время наши технологические возможности не уступают самым передовым техпроцессам, используемым в отрасли для массового производства», — заявил недавно вице-президент CXMT Луо Сяодун (Luo Xiaodong). Вместе с этим CXMT представила две 24-гигабитные микросхемы памяти LPDDR5X, произведённые на новой платформе. Память этого типа в основном используется в смартфонах и другой портативной электронике. Каждый из новых продуктов хранит на 50 % больше данных по сравнению с предыдущими аналогичными решениями вендора. Обе микросхемы уже выпускаются серийно. Чипы выпускаются в двух вариантах, ориентированных на использование в устройствах разного типа. В CXMT отметили, что новая платформа позволяет выпускать как минимум на 50 % больше заготовок для чипов с одной кремниевой пластины по сравнению с показателем платформы четвёртого поколения. Этот показатель отражает потенциальное количество чипов, которое можно получить с пластины до исключения брака, а не долю изделий, прошедших финальное тестирование. Samsung хочет больше модулей DDR5, но ей негде их производить — на помощь придут сторонние компании
18.09.2026 [08:21],
Алексей Разин
Кризис на рынке DRAM как раз и начался из-за стремления его участников выпускать больше дорогой и востребованной HBM, тогда как под нужды выпуска DDR5 и DDR4 выделялось всё меньше площадей и ресурсов. Samsung Electronics сейчас просит своих партнёров выделить больше мощностей под выпуск готовых модулей DDR5, поскольку она сама для этого не располагает достаточными свободными площадями. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как отмечает The Elec, аналогичная просьба коснулась и производителей твердотельных накопителей (SSD), которые исторически Samsung предлагает и под собственной торговой маркой. Чтобы увеличить объёмы производства модулей DDR5 и SSD, компания вынуждена полагаться на своих подрядчиков, а не собственные силы. Её предприятия по тестированию и упаковке чипов в Чхонане и Онъяне модернизируются только с прицелом на увеличение объёмов тестирования и упаковки HBM, а также других передовых чипов. Рост объёмов выпуска модулей памяти типа DDR5 будет обеспечиваться благодаря профильным усилиям сторонних компаний, сотрудничающих с Samsung Electronics. Эту инициативу нельзя назвать новой, поскольку источники сообщают о проведении соответствующих переговоров с партнёрами Samsung ещё с июня прошлого года. В текущем году она даже попросила партнёров ускорить строительство профильных производственных линий. Компания начнёт в этом году строительство нового предприятия в Онъяне, но на его возведение уйдёт несколько лет. На севере Вьетнама у Samsung также появится завод по тестированию и упаковке чипов, который будет специализироваться не на самых современных видах продукции типа DDR4, LPDDR4, NAND и UFS для карт памяти. Тем не менее, собственные мощности по производству готовых модулей памяти у компании в ближайшие годы не особо расширятся. Одним из подрядчиков Samsung по выпуску модулей памяти является Dreamtech, которая сейчас активно расширяет производственные мощности на территории Индии. Ещё в ноябре прошлого года компания приступила к локальному выпуску модулей памяти типа DDR5 в этой южноазиатской стране. В июне текущего года этот подрядчик Samsung принял решение переоснастить одно из своих индийских предприятий, которое ранее выпускало печатные платы для смартфонов, под производство модулей памяти. Основная часть работ по его перевооружению будет завершена в этом месяце, после чего начнётся наращивание объёмов выпуска модулей памяти. Ежегодно здесь планируется производить более 50 млн единиц такой продукции. Hanyang Digitech занимается повышением эффективности своего предприятия по производству модулей памяти на территории Вьетнама. В первой половине текущего года в закупку нового оборудования и автоматизацию техпроцессов здесь было вложено $22,7 млн. SFA Semicon перевозит оборудование, которым ранее сама Samsung пользовалась на своём предприятии в Онъяне, на свой филиппинский завод. Последний сможет начать выпуск модулей памяти с ноября текущего года, а во втором квартале следующего года дополнительно его расширит. Корейское предприятие этой компании занимается упаковкой чипов памяти типа FBGA, которые затем будут монтироваться на модули памяти на Филиппинах. Micron создала планку DDR5 объёмом полтерабайта
16.09.2026 [10:23],
Алексей Разин
Американский производитель памяти Micron Technology в очередной раз подтвердил свою ориентацию на удовлетворение потребностей серверных клиентов анонсом модулей RDIMM объёмом 512 Гбайт, способных работать в режиме до DDR5-9200 включительно. Данные модули памяти уже проходят валидацию компаниями Intel и AMD, а серийно выпускаться они начнут во второй половине следующего года. 
Источник изображения: Micron Technology По сути, компания анонсировала новые модули памяти практически за год до их появления в продаже, но подобная предупредительность в целом характерна для серверного сегмента. Двухпроцессорный сервер с 24 слотами памяти может приютить до 12 Тбайт оперативной памяти DDR5 благодаря использованию подобных модулей RDIMM. Добиться подобной плотности размещения микросхем на модуле удалось при помощи технологии вертикального монтажа с использованием межслойных соединений TSV. Если представители AMD просто отметили, что ведут валидацию данных модулей памяти с точки зрения совместимости со своими серверными платформами, то в Intel прозрачно намекнули, что обеспечат поддержку таких модулей памяти в рамках серверных платформ нового поколения. Увеличение объёма информации, хранимой непосредственно в ОЗУ, по данным Micron, позволяет на 60 % снизить энергопотребление по сравнению с четырьмя модулями объёмом по 128 Гбайт, номинально формирующими аналогичный совокупный объём памяти. В задачах анализа данных с использованием Spark SVM модули RDIMM объёмом 512 Гбайт способны обеспечить прирост быстродействия до 1,4 раза по сравнению с конфигурациями, построенными на модулях памяти объёмом 256 Гбайт. При работе с базами данных RocksDB и Redis более ёмкие модули памяти также обеспечивают рост эффективности процесса обработки данных. Kioxia придумала, как победить дефицит DRAM — помогут быстрые SSD, но не обычным ПК
15.09.2026 [12:27],
Павел Котов
Kioxia ведёт разработку решений, призванных сократить зависимость центров обработки данных от дорогостоящей и дефицитной DRAM — связанные с искусственным интеллектом рабочие нагрузки требуют всё больших объёмов памяти. 
Источник изображения: kioxia.com Стратегия японской компании включает выпуск SSD с интерфейсом PCIe 6.0 и внедрение технологии расширения памяти CXL, хотя в Kioxia пока не делают прямых заявлений, что эти продукты полностью вытеснят DRAM. Производитель показал SSD серии GP1 с интерфейсом PCIe 6.0 и протоколом NVMe, разработанные, чтобы обеспечить сверхвысокую интенсивность операций ввода-вывода в инфраструктуре ИИ. Эти накопители поддерживают прямое подключение к графическим процессорам, что позволяет сократить объём передачи данных по стандартным системным шинам при интенсивных вычислительных нагрузках. Компания также представила SSD корпоративного класса CM10 и предназначенные для ЦОД накопители серии NX1 с поддержкой жидкостного охлаждения. В первых используется технология Kioxia BiCS FLASH десятого поколения; вторые имеют формфактор E1.S и поддерживают интерфейс PCIe 5.0. Эти продукты ориентированы на ЦОД, где важны повышение производительности и улучшение теплового режима. Перенос части нагрузок на флеш-накопители поможет смягчить проблему дефицита оперативной памяти и роста затрат, повлиявшую на мировые цепочки поставок. Kioxia намерена использовать быстродействующую память NAND в качестве прямой альтернативы DRAM, но не её замены. Одной из наиболее значимых разработок является представленная ранее серия модулей расширения памяти XL1 с поддержкой CXL, разработанных на основе технологии XL FLASH с низкими показателями задержки. CXL позволяет накопителям более тесно взаимодействовать с процессорами, создавая дополнительный объём памяти без необходимости перемещать каждый байт данных в DRAM. Сочетание высокоскоростной NAND с контроллером CXL позволяет более чем десятикратно сократить задержку при чтении данных по сравнению с традиционными решениями на основе NAND. XL1 позиционируется как решение, занимающее промежуточное положение между традиционной DRAM и обычными SSD по показателям производительности и стоимости. Частичная замена DRAM на модули CXL поможет удвоить объёмы памяти и на 30 % повысить производительность систем. Это важно, потому что NAND по своей природе медленнее DRAM, а значит, полная замена привела бы к снижению производительности в чувствительных к задержкам приложениях. Стратегия Kioxia предполагает дополнение DRAM, а не её полное исключение из конфигураций ИИ-серверов. По норме прибыли китайская CXMT уже обошла ведущих мировых производителей памяти
11.09.2026 [07:37],
Алексей Разин
Китайские производители памяти стремительно развиваются, и на мировом рынке DRAM компания CXMT уже занимает четвёртое место с долей 9,5 % в денежном выражении. Более того, по данным Quick FactSet и квартальной отчётности основных игроков мирового рынка, CXMT уже обошла их по норме прибыли во втором квартале текущего года. 
Источник изображения: CXMT Как поясняет Nikkei Asian Review, речь идёт о прибыли до вычета налогов и процентных выплат по кредитам (EBIT) — маржинальность бизнеса CXMT по этому критерию во втором квартале достигла 82 %. В сопоставимых показателях позади остались и SK hynix (76 %), и Samsung Electronics (70 %), хотя последняя формально остаётся крупнейшим производителем памяти по выручке. Абсолютная величина прибыли CXMT тоже значительно уступает результатам не только южнокорейских производителей памяти, перечисленных выше, но и американской Micron Technology. Тем не менее, по своей маржинальности бизнес CXMT оказывается более эффективным, чем у конкурентов, поскольку соотношение прибыли и затрат у неё лучшее в отрасли. Sandisk и Kioxia также уступают CXMT в этом смысле, хотя технически специализируются на выпуске памяти типа NAND, а не DRAM. Значительный вклад в прибыль CXMT делает память типа DDR5, которая сейчас весьма востребована в сегменте ЦОД. Структура рынка DDR5 такова, что цены на этот вид памяти подвержены более высоким колебаниям, чем в случае с той же HBM, которая уже давно поставляется по долгосрочным контрактам, не подразумевающим подобных скачков. Даже контракты на поставку DDR5 составлены таким образом, что оставляют поставщику возможность повышать цены в случае попутного движения биржевых цен. Уже в первом квартале норма прибыли при реализации DDR5 оказалась выше, чем в случае с HBM. После недавнего IPO компания CXMT стала крупнейшим эмитентом на фондовом рынке КНР, причём японскую Kioxia по своей капитализации она обошла примерно в три раза. Инвесторы в данном случае делают ставку на активное развитие бизнеса CXMT, и она оправдывает их надежды, не скрывая, что вырученные в ходе IPO средства главным образом направит на расширение производственных мощностей. Китайская CXMT первой в мире начала массовые поставки памяти типа LPDDR6 для смартфонов
08.09.2026 [07:05],
Алексей Разин
Вчерашний дебют складного смартфона Xiaomi 18 Fold формально развязал CXMT руки — эта китайская компания получила полное право заявить, что приступила к массовому производству памяти типа LPDDR6, которая впервые нашла применение во флагманской модели смартфона. С точки зрения демонстрации успехов китайской полупроводниковой промышленности это очень важный шаг. 
Источник изображения: CXMT Микросхемы объёмом 16 Гбайт предлагают максимальную скорость передачи информации 12 800 Мбит/с, в случае взаимодействия с чипом внутри смартфона она составляет 10 667 Мбит/с. Выпускаемые CXMT микросхемы LPDDR6 имеют конструктивное исполнение FBGA с 1295 контактами и соответствуют стандарту JEDEC. С учётом возможности LPDDR6 работать со скоростью передачи 12 800 Мбит/с, данный вид памяти обеспечивает увеличение пропускной способности на 60 % по сравнению с LPDDR5X, работающей на скорости 10 667 Мбит/с. При этом уровень энергопотребления снижается на 20 %, обеспечивая увеличение времени работы устройства от батареи. Более гибкое управление напряжением отдельных блоков в составе чипа LPDDR6 позволяет добиваться оптимального расхода энергии при разных типах вычислительной нагрузки. Этому также способствует интеллектуальное управление стратегическим планированием распределения ресурсов и задач. Подчёркивается, что более сложная в упаковке LPDDR6 по сравнению с LPDDR5 позволяет снизить тепловое сопротивление кристалла на 40 %. Под нагрузкой это способствует более эффективному отводу тепла от микросхем памяти LPDDR6. Помимо смартфонов, память этого типа найдёт применение в ПК, носимых устройствах, автомобилях, серверах для периферийных вычислений и робототехнике. По данным TrendForce, доля CXMT на мировом рынке DRAM в денежном выражении по итогам второго квартала последовательно выросла с 7,6 до 9,5 %. Это позволяет ей занимать четвёртое место среди крупнейших мировых производителей микросхем оперативной памяти. Для сравнения, конкурирующая южнокорейская SK hynix уже завершила разработку своей LPDDR6, которую будет выпускать по техпроцессу 10-нм класса, приступив к её поставкам на рынок в текущем полугодии. Samsung Electronics образцы LPDDR6 демонстрировала ещё в январе текущего года на CES 2026 в Лас-Вегасе, но пока не сообщила о сроках начала её массового производства. В серийном исполнении такая память должна будет работать со скоростью до 12 800 Мбит/с, а SK hynix замахивается даже на уровень 14 400 Мбит/с. Американская Micron образцы своей LPDDR6 уже отгружает клиентам, но о сроках начала коммерческих поставок предпочитает не говорить открыто. SK hynix успешно расширяет производство памяти DRAM по передовому техпроцессу 1c
07.09.2026 [22:05],
Николай Хижняк
Компания SK hynix переводит значительную часть своих производственных мощностей по выпуску оперативной памяти DRAM на новейший техпроцесс 1c, пишет TechPowerUp со ссылкой на южнокорейскую газету Chosun. 
Источник изображения: SK hynix По мере развития технологии DRAM компания переносит производство на более продвинутые техпроцессы 10-нм уровня. В первом квартале 2026 года на долю техпроцесса 10-нм класса шестого поколения 1c приходилось 10 % от общего объёма производства, а во втором этот показатель вырос до 13 %. Ожидается, что в текущем третьем квартале компания выпустит 24 % своей памяти DRAM на техпроцессе 1c, а в четвёртом этот показатель перевалит за треть (34 %). К первому кварталу 2027 года на долю техпроцесса 1c, как прогнозируется, придётся около 35 % от общего объёма производства, а на долю техпроцесса 1b, тоже 10-нм уровня, но пятого поколения, — 33 %, что сделает его самым распространённым техпроцессом SK hynix. Техпроцессы для производства DRAM отличаются от обычных логических техпроцессов, то есть тех, на базе которых выпускаются процессоры. Производители DRAM используют различные варианты техпроцессов от 10 до 19-нм (10-нм класса) и масштабируют их, добавляя больше слоёв EUV-литографии или улучшая другие характеристики. Для SK hynix доминирующий на данный момент техпроцесс 1b предполагает использование 12–13 нм по фактическому размеру и включает около четырёх слоёв EUV-литографии, в то время как самый передовой техпроцесс 1c предполагает уменьшение до 11–12 нм с использованием 5–6 слоёв EUV-литографии. SK hynix будет использовать техпроцесс 1c для производства памяти HBM4E, LPDDR6 и DDR5. На более старом техпроцессе 1b SK hynix производит память DDR5, LPDDR5X, HBM3E и HBM4. Для сравнения, другие производители DRAM, такие как Samsung, в настоящее время используют техпроцесс 1c только на 16 % своих производственных мощностей, в то время как у SK hynix этот показатель составляет 13 %. У Micron этот показатель равен 19 %, но SK hynix быстро наращивает производственные мощности и, как ожидается, в четвёртом квартале обгонит обе компании за счёт перехода на техпроцесс 1c. В перспективе SK hynix будет осваивать и другие техпроцессы, поскольку масштабирование DRAM становится всё более сложной задачей: стандартная планарная структура транзисторов 6F² сталкивается с физическими ограничениями при уменьшении размеров. Будущее за транзисторами с вертикальным затвором 4F² и трёхмерным стекированием DRAM, которые станут основой для наступления следующей эры DRAM, но узел 1c компания SK hynix будет использовать ещё долгие годы. Производители памяти не успевают за спросом — зато их выручка взлетела на 60 % во втором квартале
07.09.2026 [17:44],
Владимир Фетисов
Резкий рост контрактных цен на память DRAM привёл к увеличению объемов дохода её производителей. По данным компании TrendForce, доход индустрии DRAM во втором квартале нынешнего года вырос на 59,5 % до $154,73 млрд по сравнению с предыдущим трёхмесячным отрезком. 
Источник изображения: SK hynix Растущий спрос на ИИ-серверы, обусловленный продолжающимся расширением индустрии искусственного интеллекта, стимулировал увеличение поставок чипов памяти HBM3E, LPDDR5X и RDIMM разной ёмкости. Складские запасы поставщиков продолжают оставаться на исторически низком уровне, а дополнительные объёмы поставок в основном перенаправляются на использование в серверном оборудовании. В итоге объём поставок памяти DRAM в пересчёте на биты во втором квартале вырос незначительно. Аналитики TrendForce считают, что умеренный рост поставок памяти DRAM в пересчёте на биты станет одним из ключевых факторов, влияющих на выручку производителей в третьем квартале. Однако рост контрактных цен на чипы памяти DRAM, по прогнозам, замедлится до 13–18 % в квартальном исчислении. Эта тенденция отражает смещение части спроса с высокоёмких модулей RDIMM на продукты с меньшей ёмкостью, а также снижение способности потребителей в сегментах ПК и смартфонов выдержать дальнейшее повышение цен. Ожидается, что потребительский сегмент рынка DRAM покажет наиболее сильный рост цен, поскольку производители существенно сократили объём поставок. Во втором квартале самый высокий рост объёма поставок чипов памяти в пересчёте на биты среди крупнейших вендоров продемонстрировала Samsung. Этому способствовал ранний запуск серийного производства и поставок памяти HBM4. В сочетании с существенным ростом средней цены реализации это привело к тому, что квартальная выручка Samsung выросла до $60,98 млрд, что на 63,4 % больше по сравнению с предыдущим кварталом. В итоге компания заняла лидирующую позицию с долей рынка 39,4 %. 
Источник изображения: TrendForce На второй позиции расположилась SK hynix. Поскольку доля памяти HBM в общем объёме поставок в пересчёте на биты была самой высокой среди трёх крупнейших вендоров, рост средней цены реализации оказался не таким сильным. Тем не менее, выручка SK hynix во втором квартале выросла на 37,9 % по сравнению с предыдущим трёхмесячным отрезком и составила $38,59 млрд. При этом доля рынка компании снизилась до 24,9 %. В отчётном периоде Micron продолжала отдавать приоритет производству более дорогой серверной памяти DRAM, что обусловлено ограниченными производственными мощностями. Выручка компании выросла на 65,5 % квартал к кварталу и составила $36 млрд. За счёт этого доля вендора на рынке увеличилась до 23,3 %. Аналитики TrendForce считают, что в 2026–2027 годах три крупнейших производителя будут увеличивать объём поставок в пересчёте на биты в основном за счёт перехода на новые технологические процессы. Более мелкие игроки, такие как Nanya, Winbond и PSMC, сосредоточатся на производстве продукции по более зрелым технологиям. Их рост во втором квартале поддерживался рыночным спросом, который три крупнейших производителя уже не могут полностью удовлетворить по мере перехода на новые техпроцессы. Сильное повышение контрактных цен на DDR4 и DDR3 обеспечило рост выручки Nanya на 68,3 % квартал к кварталу — до $2,612 млрд. Выручка Winbond за этот же период выросла на 75,8 % и составила $998 млн. Выручка PSMC подскочила на 167,8 % — до $115 млн. «Украсть технологии, переманить инженеров»: у CXMT с самого начала был этот план, и она его придерживалась
04.09.2026 [17:41],
Павел Котов
У китайской компании CXMT существовал «Проект Хэфей» — масштабный план разработки DRAM, который, по версии южнокорейской прокуратуры, предусматривал получение ключевых технологий Samsung и переманивание её инженеров. Как сообщает NoCut News со ссылкой на материалы уголовного дела, план был составлен ещё в 2016 году, вскоре после основания CXMT. За прошедшее десятилетие китайская компания превратилась в крупного производителя DRAM и теперь контролирует около 10 % мирового рынка. 
Источник изображения: cxmt.com «Проект Хэфей» представлял собой поэтапный план разработки и запуска производства DRAM. Его примерно в августе 2016 года подготовили руководитель отдела разработки CXMT, прежде возглавлявший разработку DRAM в Samsung, и отвечавший за инвестиции в производственное оборудование сотрудник. Это произошло всего через два месяца после основания CXMT. Согласно материалам обвинения, к сентябрю 2016 года компания намеревалась получить ключевые технологические данные Samsung, включая технологическую карту Process Recipe Plan (PRP), к октябрю — привлечь ключевых инженеров Samsung, к июлю 2017 года — завершить подготовку технологии, а в августе 2018 года — начать массовое производство DRAM в объёме 10 000 пластин в месяц. PRP представляет собой подробное описание всего технологического процесса производства DRAM примерно из 620 этапов. Документ содержит названия и последовательность операций, параметры процессов, сведения об оборудовании, расходных материалах и используемых методах. Samsung разрабатывала свой 18-нм техпроцесс DRAM с апреля 2012 года, задействовав более 1100 специалистов и потратив около 1,6 трлн вон. Доступ к соответствующей информации внутри Samsung был ограничен, поскольку компания считала её коммерческой тайной. В августе 2016 года CXMT попыталась самостоятельно составить свой PRP для производства 18-нм DRAM на основе того, что вспомнили нанятые ею бывшие инженеры Samsung. Этого оказалось недостаточно: воспроизвести около 620 технологических этапов вместе с параметрами процессов и сведениями о материалах по памяти специалисты не смогли. Однако уже в сентябре CXMT, по версии прокуратуры, получила информацию из PRP Samsung, включавшую даже названия поставщиков оборудования и номера его моделей. На основе этих данных с 23 по 26 сентября был подготовлен собственный PRP компании, который затем передали бывшим специалистам Samsung для проверки и дополнения. В 2019 году CXMT заявила о разработке 8-Гбит чипов DDR4 и начала их продажи в Китае. Последовавший ИИ-бум и глобальный дефицит памяти способствовали стремительному росту компании: её доля на мировом рынке DRAM увеличилась примерно с 4 % во втором квартале 2025 года до 10 % во втором квартале 2026-го. К концу 2026 года CXMT рассчитывает довести производственные мощности трёх своих предприятий до 350 000 пластин в месяц — для сравнения, Micron выпускает около 375 000–385 000 пластин. Компания также планирует построить ещё одно предприятие в Пекине и в перспективе увеличить совокупные мощности более чем до 600 000 пластин в месяц. Во втором квартале 2026 года выручка CXMT выросла на 716 %, а после июльского IPO на шанхайской площадке STAR Market акции компании подорожали на 466 %. В ходе размещения CXMT привлекла $8,6 млрд. Около 70 % привлечённых средств компания намерена направить на дальнейшее расширение производства DRAM, а не на более дорогую и сложную HBM. При этом CXMT уже поставляла образцы HBM3E китайским разработчикам ИИ-ускорителей T-Head и Cambricon. Южнокорейская прокуратура в декабре прошлого года оценивала ущерб Samsung от предполагаемой утечки технологий как минимум в десятки триллионов вон. Расследование продолжается: дело рассматривает Центральный районный суд Сеула, а допросы свидетелей должны продолжаться до октября. |
© 1997—2026 3DNews
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
