Сегодня 04 июля 2026
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Samsung разработает быструю оперативную память LLW DRAM с низким энергопотреблением

Samsung разрабатывает новый тип памяти под названием Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM, которая обладает очень высокой пропускной способностью, малой задержкой и низким энергопотреблением. Компания предлагает в первую очередь использовать новую память в системах искусственного интеллекта на базе больших языковых моделей (LLM), хотя также подобная память подойдёт и для других рабочих нагрузок, включая клиентские.

 Источник изображения: Samsung

Источник изображения: Samsung

LLW DRAM от Samsung — это память с низким энергопотреблением, обладающая широкими возможностями ввода-вывода, низкой задержкой и пропускной способностью в 128 Гбайт/с на модуль (или стэк), что сопоставимо с сочетанием памяти DDR5-8000 и 128-битной шины. Одной из ключевых особенностей LLW DRAM от Samsung заявлено её низкое энергопотребление — 1,2 пДж/бит, хотя компания не сообщила, при какой скорости передачи данных измерена эта величина.

Хотя Samsung пока не раскрыла технических подробностей о LLW DRAM, стоит вспомнить, что компания уже некоторое время разрабатывает память с широкими интерфейсами, например, GDDR6W. Возможно, что Samsung объединяет ёмкость нескольких таких модулей DRAM, интегрированных в один корпус, с использованием технологии Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) для расширения пропускной способности интерфейса и снижения энергопотребления.

Samsung стандартизировала свою память GDDR6W во втором квартале 2022 года и планировала использовать её в системах искусственного интеллекта, высокопроизводительных вычислительных ускорителях и клиентских ПК. Вполне вероятно, что LLW DRAM будет использована в периферийных вычислительных устройствах для систем искусственного интеллекта, таких как смартфоны, ноутбуки и, возможно, автомобильные системы.

Samsung редко раскрывает информацию о том, когда её многообещающие технологии появятся на рынке, поэтому сроки выхода LLW DRAM в реальных устройствах пока неясны. Но, поскольку Samsung уже обнародовала подробности об ожидаемой производительности технологии, разработка LLW DRAM, вероятно, практически завершена.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
TSMC получила разрешение тайваньских властей потратить ещё $20 млрд на завод в США 12 мин.
Вместо тысяч датчиков одна дешёвая камера — роботов научили чувствовать пальцами 50 мин.
В 2028 году Samsung планирует выпустить серийный смартфон с рулонным дисплеем 3 ч.
Портативная консоль AyaNeo Next 2 на AMD Strix Halo выйдет на мировой рынок — цена флагмана составит $5300 3 ч.
Micron начала строительство ещё одного завода по производству памяти в Хиросиме — он заработает в 2028 году 3 ч.
Из-за складного iPhone цены на складные смартфоны вырастут в среднем почти на 20 % 3 ч.
Производители памяти призвали власти США отказаться от регулирования рынка, чтобы не стало ещё хуже 4 ч.
Alibaba представила ИИ-агента для поиска сверхпроводников — он сразу открыл четыре новых 4 ч.
Ampera напечатала на 3D-принтере малый ториевый реактор для питания дата-центров 5 ч.
DriveNets представила коммутаторы 2600SL и 2601S с 64 портами на 1,6 Тбит/с 5 ч.