Samsung прекратит выпускать 2D NAND и перепрофилирует фабрики на HBM4

В этом году Samsung официально прекращает производство флэш-памяти 2D NAND. Освободившиеся производственные линии будет перепрофилированы для удовлетворения ажиотажного спроса на память HBM4, обусловленного бурным развитием искусственного интеллекта.

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Групповое тестирование 46 видеокарт в The Witcher 3: Wild Hunt — Remastered

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Компьютер месяца, спецвыпуск: выбираем мини-ПК для работы и развлечений в эпоху дефицита чипов памяти

Мастерская локальных ИИ: салат картофельный с Qwen3.8

Обзор HONOR Pad X9b Max: универсальный большой планшет с антибликовым экраном

Источник изображения: TechPowerUp

По данным The Elec Korea, Samsung планирует официально прекратить производство 2D NAND на своём заводе в Хвасоне. Вместо того чтобы полностью закрывать предприятие, Samsung перепрофилирует мощности для металлизации DRAM, то есть процесса нанесения реальных дорожек для соединения ячеек памяти внутри самой DRAM.

Производственная мощность линии 12 в Хвасоне составляет от 80 000 до 100 000 12-дюймовых пластин в месяц. Это значительное количество пластин, которые сейчас используются только для 2D NAND Flash, технологии, которая устарела после появления 3D NAND Flash.

Теперь на этой линии будет производиться DRAM 6-го поколения класса 10 нм, используемая в HBM4, и Samsung ожидает, что общая мощность производства DRAM вместе с линиями 3 и 4 в Пхёнтеке достигнет около 200 000 пластин в месяц во второй половине года.

Память 2D NAND Flash была впервые представлена ​​в конце 1990-х годов. Производители памяти и накопителей постепенно отказывались от этой технологии в последние несколько лет, и Samsung не является исключением. В марте производство 2D NAND будет окончательно прекращено, уступив место технологии 3D NAND Flash, которая обладает множеством преимуществ перед старой планарной NAND, включая большую ёмкость, лучшую надёжность и гораздо более высокие показатели производительности в целом.