Samsung прекратит выпускать 2D NAND и перепрофилирует фабрики на HBM4

В этом году Samsung официально прекращает производство флэш-памяти 2D NAND. Освободившиеся производственные линии будет перепрофилированы для удовлетворения ажиотажного спроса на память HBM4, обусловленного бурным развитием искусственного интеллекта.

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Обзор смартфона Samsung Galaxy Z Flip8: исчезающий вид?

10 флагманских процессоров Intel за 10 лет

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Источник изображения: TechPowerUp

По данным The Elec Korea, Samsung планирует официально прекратить производство 2D NAND на своём заводе в Хвасоне. Вместо того чтобы полностью закрывать предприятие, Samsung перепрофилирует мощности для металлизации DRAM, то есть процесса нанесения реальных дорожек для соединения ячеек памяти внутри самой DRAM.

Производственная мощность линии 12 в Хвасоне составляет от 80 000 до 100 000 12-дюймовых пластин в месяц. Это значительное количество пластин, которые сейчас используются только для 2D NAND Flash, технологии, которая устарела после появления 3D NAND Flash.

Теперь на этой линии будет производиться DRAM 6-го поколения класса 10 нм, используемая в HBM4, и Samsung ожидает, что общая мощность производства DRAM вместе с линиями 3 и 4 в Пхёнтеке достигнет около 200 000 пластин в месяц во второй половине года.

Память 2D NAND Flash была впервые представлена ​​в конце 1990-х годов. Производители памяти и накопителей постепенно отказывались от этой технологии в последние несколько лет, и Samsung не является исключением. В марте производство 2D NAND будет окончательно прекращено, уступив место технологии 3D NAND Flash, которая обладает множеством преимуществ перед старой планарной NAND, включая большую ёмкость, лучшую надёжность и гораздо более высокие показатели производительности в целом.