MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
Samsung окончательно определилась с архитектурой и возможностями будущей фабрики в США, в городе Тейлор, штат Техас. Последнюю точку в планах поставили два главных клиента на будущую продукцию — компании AMD и Nvidia. Для них новый завод будет выпускать базовые кристаллы (логику) памяти HBM4 — всё для ИИ и больших данных.
Источник изображения: Samsung
Если верить неофициальным источникам, большая часть будущей продукции будет отгружаться компании AMD. Сама Samsung пока не раскрывает имена клиентов и разделение объёмов. В то же время известно, что завод Fab 2 в Тейлоре будет в полтора раза больше по площади, чем уже готовый там же к полноценной работе завод Fab 1, и займёт приблизительно 250 тыс. м2.
Завод Fab 2 планируется оснастить оборудованием для производства микросхем по техпроцессу класса 2 нм. Начало основных строительных работ намечено на текущий месяц (ноябрь 2026 года), установку производственного оборудования предполагается начать в феврале 2029-го, а массовое производство — в 2030 году.
Напомним, речь идёт о базовых кристаллах HBM — логических микросхемах, расположенных под вертикальной стопкой DRAM-кристаллов. Они обеспечивают управление памятью, обмен данными с графическим процессором и взаимодействие с вычислительной логикой ускорителя. Впрочем, будущие базовые кристаллы для ускорителей с памятью HBM4 будут намного сложнее базовых кристаллов первых поколений и даже получат блоки, оптимизированные для работы с теми или иными ускорителями.
Последнее связано с изменением архитектуры HBM, начиная с четвёртого поколения. Если раньше такие кристаллы преимущественно выполняли функции управления памятью, то теперь в них интегрируют более сложную логическую часть, которую можно адаптировать под конкретные ускорители.
Samsung уже использует для сборок HBM4 базовые кристаллы, изготовленные по 4-нм техпроцессу, сочетая их с DRAM-кристаллами поколения 1c. По данным самой компании, HBM4 обеспечивает скорость передачи данных 11,7 Гбит/с на контакт с возможностью повышения до 13 Гбит/с, а пропускная способность одного стека достигает 3,3 Тбайт/с.
Буквально на днях Samsung отчиталась об увеличении продаж базовых кристаллов HBM и улучшении финансовых показателей контрактного подразделения. Вероятно, это тоже одна из причин, почему завод Fab 2 в Техасе будет заточен под одну продукцию — базовую логику для памяти HBM4.
В то же время остаётся неопределённость в обслуживании заказов Nvidia. Как известно, Nvidia для следующих ускорителей продвигает технологию NVHBM, согласно которой часть контроллера памяти должно переехать из главного процессора (ускорителя) в базовый кристалл сборки HBM. Согласно опубликованным Nvidia техническим данным, NVHBM обеспечит до 30 % больше пропускной способности по сравнению со стандартной HBM4E, снизит энергопотребление памяти до 15 % и позволит высвободить до 25 % площади вычислительного кристалла. Такие контроллеры уже изъявила желание выпускать TSMC, тогда как Samsung пока никак не обозначила свою позицию.
Память для стеков HBM4 компания Samsung продолжит выпускать на своих заводах в Южной Корее. Финальная сборка, вероятно, также сможет осуществляться в США.
Отраслевые обозреватели также отмечают возможность расширения цепочки поставок за счёт Broadcom, которая выпускает ускорители ИИ для Google, OpenAI и Anthropic. Таким образом, будущий завод Fab 2 в Техасе представляется местом, где будет реализована долгосрочная стратегия Samsung — превратиться из производителя памяти в компанию, предлагающую решения «под ключ» и объединяющую контрактное производство полупроводников и упаковку.
Источник:
