MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
Китайский производитель микросхем памяти CXMT начал производство небольших тестовых партий передовой высокоскоростной памяти HBM3E. Несколько китайских компания, включая T-Head (дочерняя компания Alibaba Group) и Cambricon Technologies, уже тестируют эту память со своими процессорами. Компания планирует расширить производство в 2027 году.
Источник изображения: CXMT
Китайские производители памяти в настоящее время отстают на два поколения от южнокорейских компаний, которые постепенно переходят на производство памяти HBM4E. Однако это важная веха для CXMT, которая к концу года планирует достичь производственной мощности около 350 000 пластин DRAM в месяц, а в последующие годы — увеличить эту мощность.
Сообщается, что производство HBM3E началось в очень небольших количествах, что свидетельствует о начале пробного производства. Аналитики полагают, что компания достаточно быстро перейдёт от тестовых партий к массовому производству. CXMT заметно превосходит конкурентов по скорости строительства чистых помещений — компания ввела в строй такое помещение всего за 12 месяцев, в то время как на это обычно уходит до двух лет.
Точные технические характеристики памяти HBM3E от CXMT не раскрываются, но стандартная спецификация JEDEC подразумевает наличие 1024-битной ширины и скорости от 9,2 Гбит/с до 12,4 Гбит/с на контакт, при этом большинство стандартных конфигураций ориентированы на 9,6 Гбит/с на контакт. Общая пропускная способность составляет 1,2 Тбайт/с, а ёмкость варьируется от 24 Гбайт при использовании 8-слойных стеков до 36 Гбайт при использовании 12-слойных стеков.
CXMT управляет несколькими предприятиями, включая два завода по производству 12-дюймовых пластин, один в Хэфэе и один в Пекине, каждый с производительностью около 100 000 пластин в месяц. В настоящее время производственная мощность составляет около 200 000 пластин в месяц, а после завершения строительства и ввода в полную эксплуатацию заводов в Шанхае и Хэфэе планируется утроить это число до впечатляющих 600 000 пластин в месяц.
Источники:
