Сегодня 04 июля 2026
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Samsung показала на Computex 2026 макет стека памяти HBM5

Недавно компания Samsung Electronics отчиталась о начале поставок образцов памяти типа HBM4E, но она одновременно уже полным ходом разрабатывает и HBM5. На выставке Computex 2025 она продемонстрировала лишь масштабный макет чипа HBM5, который призван в общих чертах показать его устройство, но уже на этом этапе понятно, что технологически это будет не самый простой вид продукции Samsung.

 Источник изображения: Asia Business Daily

Источник изображения: Asia Business Daily

Начнём с того, что базовый кристалл для HBM5 компания собирается выпускать собственными силами по 2-нм технологии. Количество слоёв DRAM, которые будут выпускаться по технологии класса 1c, может варьироваться в случае с HBM5 от 12 до 20 штук. Технический директор профильного подразделения Samsung Electronics Сон Чжэ Хёк (Song Jaehyuk), который присутствовал на стенде компании на Computex 2026, пообещал использование компоновки транзисторов с окружающим затвором (GAA) при производстве 2-нм чипов. Кроме того, он выразил уверенность, что Samsung в целом сможет освоить технологии тоньше 1 нм. Наличие у Samsung контрактного подразделения, по словам представителя компании, позволяет ей удовлетворять требования самых строгих клиентов, включая Nvidia.

Для сравнения, HBM4E подразумевает использование 4-нм базового кристалла и техпроцесса 1c для изготовления чипов DRAM, формирующих стек памяти. Важным нововведением HBM5 станет использование теплоотводного канала Heat Path Block (HPB). Память HBM5 не только увеличит количество слоёв DRAM в стеке, но и скорость обмена информации, поэтому отводу тепла от элементов стека Samsung собирается уделять особое внимание. Технология уже отлажена на примере HBM4E, в дальнейшем компания собирается применять продвинутые способы отвода тепла для повышения стабильности работы памяти такой компоновки. Массовым производством HBM5 южнокорейский гигант собирается заняться с 2028 года. Уже в рамках HBM5E кристаллы DRAM в стеке начнут производиться по более продвинутому техпроцессу 1d.

У конкурирующей SK hynix за охлаждение элементов в стеке будет отвечать схожая технология iHBM, поэтому нельзя утверждать, что решение Samsung в чём-то уникально. Именно при производстве HBM5 компания SK hynix собирается внедрить iHBM в условиях массового выпуска памяти. Кроме того, в составе HBM5 этого производителя также будут присутствовать 2-нм чипы.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Дефицит памяти отозвался в июньской статистике Steam 24 мин.
Новые складные смартфоны Samsung будут дороже предшественников на €100–€280 28 мин.
Началась операция по спасению падающей на Землю космической обсерватории NASA Swift 48 мин.
К выпуску готовится антикризисный SSD Samsung 990 с PCIe 4.0 и скоростью чтения до 7250 Мбайт/с 2 ч.
Samsung в III квартале хочет повысить цены на DRAM на 20 % — LPDDR может подорожать сильнее 3 ч.
Вслед за Kioxia компания Sandisk объявила о начале поставок NAND-памяти, выпущенной по технологии BiCS10 3 ч.
Аукцион Sotheby’s выставит на благотворительные торги кожаную куртку с автографом основателя Nvidia Дженсена Хуанга 4 ч.
Meta использует DDR4 в серверных системах, изначально её не поддерживающих 6 ч.
Valve опубликовала инструкцию по созданию панели с E Ink-дисплеем для Steam Machine 14 ч.
Вопреки трендам: Amazon увеличила объём оперативной памяти у планшета Fire HD 10 на треть 14 ч.