Сегодня 02 июля 2026
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Samsung показала на Computex 2026 макет стека памяти HBM5

Недавно компания Samsung Electronics отчиталась о начале поставок образцов памяти типа HBM4E, но она одновременно уже полным ходом разрабатывает и HBM5. На выставке Computex 2025 она продемонстрировала лишь масштабный макет чипа HBM5, который призван в общих чертах показать его устройство, но уже на этом этапе понятно, что технологически это будет не самый простой вид продукции Samsung.

 Источник изображения: Asia Business Daily

Источник изображения: Asia Business Daily

Начнём с того, что базовый кристалл для HBM5 компания собирается выпускать собственными силами по 2-нм технологии. Количество слоёв DRAM, которые будут выпускаться по технологии класса 1c, может варьироваться в случае с HBM5 от 12 до 20 штук. Технический директор профильного подразделения Samsung Electronics Сон Чжэ Хёк (Song Jaehyuk), который присутствовал на стенде компании на Computex 2026, пообещал использование компоновки транзисторов с окружающим затвором (GAA) при производстве 2-нм чипов. Кроме того, он выразил уверенность, что Samsung в целом сможет освоить технологии тоньше 1 нм. Наличие у Samsung контрактного подразделения, по словам представителя компании, позволяет ей удовлетворять требования самых строгих клиентов, включая Nvidia.

Для сравнения, HBM4E подразумевает использование 4-нм базового кристалла и техпроцесса 1c для изготовления чипов DRAM, формирующих стек памяти. Важным нововведением HBM5 станет использование теплоотводного канала Heat Path Block (HPB). Память HBM5 не только увеличит количество слоёв DRAM в стеке, но и скорость обмена информации, поэтому отводу тепла от элементов стека Samsung собирается уделять особое внимание. Технология уже отлажена на примере HBM4E, в дальнейшем компания собирается применять продвинутые способы отвода тепла для повышения стабильности работы памяти такой компоновки. Массовым производством HBM5 южнокорейский гигант собирается заняться с 2028 года. Уже в рамках HBM5E кристаллы DRAM в стеке начнут производиться по более продвинутому техпроцессу 1d.

У конкурирующей SK hynix за охлаждение элементов в стеке будет отвечать схожая технология iHBM, поэтому нельзя утверждать, что решение Samsung в чём-то уникально. Именно при производстве HBM5 компания SK hynix собирается внедрить iHBM в условиях массового выпуска памяти. Кроме того, в составе HBM5 этого производителя также будут присутствовать 2-нм чипы.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Epic Games Store устроил раздачу классической игры I Have No Mouth, and I Must Scream о последних людях на Земле, которых пытает безумный суперкомпьютер 2 ч.
Авторитетный инсайдер опроверг закрытие Obsidian Entertainment и работу студии над новой Fallout 3 ч.
Правительство США снова взломали: хакеры проникли в федеральную платформу для обмена разведданными 3 ч.
«Не можешь — научим, не хочешь — заставим»: Microsoft мобилизует 6000 сотрудников для помощи клиентам во внедрении ИИ 3 ч.
Браузер Opera получил продвинутую защиту от ввода вредоносных команд через буфер обмена 3 ч.
ИИ оказался слишком дорогим: компании урезают сотрудникам доступ к ChatGPT и Claude 3 ч.
Студия создателя Deus Ex и System Shock перестанет делать игры — после провала Thick as Thieves в OtherSide осталось меньше десяти человек 4 ч.
Google не смогла отбиться от рекордного штрафа в €4,1 млрд в Европе 4 ч.
Кризис Xbox поставил под угрозу закрытия Obsidian — студию в ответе за Fallout: New Vegas, Pillars of Eternity и South Park: The Stick of Truth 5 ч.
Toyota собирается при помощи ИИ навести порядок в своей документации и терминологии 5 ч.