Сегодня 04 июля 2026
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Samsung столкнулась с высоким браком при освоении 2-нм техпроцесса на новой фабрике в Техасе

Южнокорейская компания Samsung Electronics довольно быстро построила новое предприятие в техасском Тейлоре, но вводить его в строй не торопилась, поэтому сроки запуска производства сместились с конца 2024 года на 2026 год. Здесь должен быть освоен выпуск чипов по технологиям тоньше 4 нм, но проблемы с освоением 2-нм техпроцесса проявились уже сейчас.

 Источник изображения: GlobalFoundries

Источник изображения: GlobalFoundries

По крайней мере, об этом сообщает издание Business Korea со ссылкой на собственные источники. Южнокорейская компания даже была вынуждена отозвать из Техаса персонал, который занимался подготовкой к началу опытного производства 2-нм продукции. По имеющейся информации, у Samsung возникли проблемы с низким уровнем выхода годных изделий в рамках собственного 2-нм техпроцесса. Этот критерий показывает, какая часть находящихся на кремниевой пластине кристаллов проходит итоговый контроль качества. Корейские источники сообщают, что сейчас он не превышает 10–20 %, и это не позволяет рассчитывать на экономическую целесообразность выпуска 2-нм продукции в подобных условиях.

Попытки исправить ситуацию предпринимались руководством Samsung на самом высоком уровне, и консультации с поставщиками оборудования типа ASML и Zeiss возглавлял сам председатель совета директоров Ли Джэ Ён (Lee Jay-yong), чей дед был основателем компании. Эти попытки успехом не увенчались, поэтому Samsung будет вынуждена отозвать специалистов из США, которые готовились запустить 2-нм техпроцесс на предприятии в Техасе. О судьбе производства чипов по менее сложному 4-нм техпроцессу на этой площадке ничего не сообщается. Летом этого года было принято решение об отказе от освоения 4-нм технологии в Техасе в этом году с целью более позднего выпуска уже 2-нм чипов.

Между тем, именно от промежуточных успехов на этом пути будет зависеть выделение субсидий властями США, которые изначально пообещали Samsung до $6,4 млрд в виде финансовой поддержки. Если Samsung не проявит свою технологическую состоятельность, власти США могут не выделить ей необходимую сумму. Как заявляют источники, в среднем по контрактному бизнесу Samsung уровень выхода годной продукции не превышает 50 %, тогда как у конкурирующей TSMC он лежит в пределах от 60 до 70 % даже в самых тяжёлых случаях. Этот разрыв влияет и на себестоимость продукции, и на доверие клиентов. Во втором квартале TSMC контролировала 62,3 % мирового рынка контрактных услуг по выпуску чипов, тогда как Samsung довольствовалась от силы 11,5 %.

Опрошенные Business Korea эксперты считают, что конкурентоспособность Samsung подорвана медлительной бюрократической структурой, которая не позволяет быстро выделять необходимые объёмы средств на исследования и разработки. Отсутствие инвестиций в перспективные технологии подрывает материальное положение компании в долгосрочном периоде, а также её рыночные позиции.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
TSMC получила разрешение тайваньских властей потратить ещё $20 млрд на завод в США 2 ч.
Вместо тысяч датчиков одна дешёвая камера — роботов научили чувствовать пальцами 3 ч.
В 2028 году Samsung планирует выпустить серийный смартфон с рулонным дисплеем 4 ч.
Портативная консоль AyaNeo Next 2 на AMD Strix Halo выйдет на мировой рынок — цена флагмана составит $5300 4 ч.
Micron начала строительство ещё одного завода по производству памяти в Хиросиме — он заработает в 2028 году 4 ч.
Из-за складного iPhone цены на складные смартфоны вырастут в среднем почти на 20 % 5 ч.
Производители памяти призвали власти США отказаться от регулирования рынка, чтобы не стало ещё хуже 5 ч.
Alibaba представила ИИ-агента для поиска сверхпроводников — он сразу открыл четыре новых 5 ч.
Ampera напечатала на 3D-принтере малый ториевый реактор для питания дата-центров 6 ч.
DriveNets представила коммутаторы 2600SL и 2601S с 64 портами на 1,6 Тбит/с 7 ч.