Сегодня 01 сентября 2026
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Теги → dram

С приходом осени память начала стремительно дешеветь — чипы DRAM и NAND потеряли в цене 10–20 %

Контрактные цены на DRAM и NAND за сентябрь показали значительное снижение — виной всему стал низкий спрос на ПК и прочую потребительскую электронику. Об этом сообщил корейский ресурс The Elec.

 Источник изображения: samsung.com

Источник изображения: samsung.com

Цены на чипы DDR4 8Gb 1Gx8 в сентябре 2024 года упали на 17,07 % и остановились на отметке $1,7, обратили внимание аналитики компании DRAMeXchange. С октября прошлого года цены на DRAM после затяжного пике демонстрировали стабильный рост, но уже в августе этого года впервые показали снижение — тогда оно составило 2,38 %.

Одним только сегментом DRAM обвал цен на память не ограничился. За тот же период времени цены на чипы 128Gb 16Gx8 MLC также показали заметное снижение — оно составило 11,44 %. У производителей ПК по-прежнему фиксируется высокий уровень запасов, а значит, спрос на их продукцию до сих пор не восстановился, указывает владеющая DRAMeXchange компания TrendForce. В III квартале 2024 года поставки ПК выросли на 4,4 %, и это ниже прогноза аналитиков. При этом в запасах числится преимущественно память DDR4, а не более новая DDR5.

Micron увеличила квартальную выручку на 93 % и дала хороший прогноз на текущий квартал — акции выросли на 15 %

Фискальный квартал и год в целом в календаре Micron Technology завершились 29 августа, поэтому их итоги компания подвела лишь на этой неделе. Выручка за последний квартал минувшего фискального года выросла на 93 % до $7,75 млрд, годовая выручка выросла на 62 % до $25,11 млрд, но в текущем квартале она достигнет $8,7 млрд, превысив ожидания аналитиков. Акции производителя памяти на этом фоне выросли почти на 15 %.

 Источник изображений: Micron Technology

Источник изображений: Micron Technology

Американская Micron Technology пока является наименее крупным игроком рынка памяти типа HBM, поскольку она по занимаемой доле рынка уступает как лидирующей SK hynix, так и южнокорейскому гиганту Samsung Electronics, который занимает первое место в мире по объёмам поставок всех типов памяти в совокупности. Это не мешает Micron заявлять, что она уже поставляет образцы 12-слойных стеков HBM3E объёмом 36 Гбайт, лишь чуть-чуть уступая по темпам технологического развития SK hynix. Последняя, напомним, уже приступила к их массовому производству. Micron намеревается сделать это в начале следующего календарного года.

Росту курса акций Micron способствовали и результаты прошлого квартала, которые превзошли ожидания аналитиков. По словам представителей компании, тенденция к росту спроса на микросхемы памяти наметилась и в сегменте ПК, а также смартфонов. Внедрение в этих устройствах функций локального ускорения работы систем искусственного интеллекта подразумевает увеличение потребности в объёме памяти, поэтому спрос на продукцию Micron будет расти, как считает компания. Объёмы поставок ПК по итогам текущего календарного года вырастут на несколько процентов, по мнению руководства компании. В следующем году рост рынка ПК ускорится, во многом из-за выхода Windows 12 и завершения поддержки Windows 10. Если в среднем ПК содержал 12 Гбайт оперативной памяти в прошлом году, то по мере распространения функции ИИ минимальным объёмом станут 16 Гбайт ОЗУ, а в среднем и верхнем ценовых диапазонов нормой станет наличие 32 и 64 Гбайт оперативной памяти соответственно.

Сильны конкурентные позиции Micron и в сегменте серверной памяти, как отмечает руководство. Высокий спрос на HBM заставил Micron распределить все квоты на её производство не только на текущий, но и на следующий год. В сегменте смартфонов объёмы поставок по итогам 2024 календарного года, по мнению Micron, вырастут на величину до 5 %, и продолжат рост в 2025 году. Если в прошлом году флагманские смартфоны в среднем оснащались 8 Гбайт памяти, то в следующем норма вырастет до 12 или 16 Гбайт.

Текущий фискальный квартал Micron рассчитывает завершить с рекордной выручкой в размере от $8,5 до $8,9 млрд. При этом норма прибыли компании достигнет 39,5 %. В минувшем квартале норма прибыли не превышала 35,3 %, но за год до этого она вообще была отрицательной. Аналитики в среднем рассчитывали на $8,28 млрд выручки и 37,7 % нормы прибыли в своих прогнозах на текущий фискальный квартал, поэтому акции компании и подскочили в цене после публикации отчётности. В наступившем фискальном году Micron рассчитывает получить многомиллиардную выручку в трёх категориях: HBM, оперативная память большой ёмкости и твердотельная память серверного назначения. В прошлом фискальном году Micron увеличила долю памяти серверного класса в общей выручки до рекордного уровня.

В прошлом квартале Micron достигла рекордной выручки в сегменте NAND и твердотельных накопителей. По итогам всего минувшего фискального года компания достигла рекордной выручки на серверном и автомобильном направлениях. В следующем календарном году Micron надеется приступить к массовому производству микросхем DRAM с использованием EUV-технологии класса 1γ, опытное уже осуществляется.

Компания продвигается в строительстве нового предприятия в Айдахо и ожидает получить разрешение властей на строительство предприятия в штате Нью-Йорк. В Индии возводится предприятие по тестированию и упаковке микросхем памяти, а китайское предприятие Micron такого профиля расширяется даже в условиях обоюдных санкций со стороны США и Китая. Приобретённое Micron предприятие Innolux по производству ЖК-панелей на Тайване будет переоборудовано под тестирование и сборку микросхем памяти DRAM.

Поставки HBM принесли в минувшем фискальном году сотни миллионов долларов выручки, как пояснили представители компании. В 2025 году ёмкость рынка HBM достигнет $25 млрд против $4 млрд двумя годами ранее, как ожидают в Micron, и доля данной компании на рынке HBM должна сравняться с её позициями на рынке DRAM в целом.

Спрос на DRAM по итогам текущего календарного года, как считают в Micron, вырастет на величину до 19 %, на память типа NAND — в районе 15 %, а в следующем году оба сегмента будут демонстрировать рост объёмов реализации памяти в среднем на 15 %. Цены на память в 2025 году будут расти из-за ограниченности производственных мощностей по сравнению с уровнем спроса.

Капитальные расходы Micron в минувшем фискальном году достигли $8,1 млрд, в наступившем они будут гораздо выше, достигая 35 % прогнозируемой выручки. В основном это будет вызвано необходимостью наращивать выпуск HBM и строить новые предприятия в США, которые будут субсидироваться властями по «Закону о чипах».

В прошедшем фискальном квартале выручка Micron на 69 % определялась реализацией микросхем типа DRAM. Профильная выручка компании выросла на 93 % в годовом сравнении и достигла $5,3 млрд. По итогам всего фискального года поставки DRAM увеличили профильную выручку Micron на 60 % до $17,6 млрд, это соответствует 70 % всей выручки компании за период.

В принципе, выручка от реализации NAND в четвёртом фискальном квартале не отставала по своей динамике от сегмента DRAM, увеличившись на 96 % до $2,4 млрд, но на этот тип продукции пришлось не более 31 % всей выручки Micron. Более того, в сегменте NAND компания в прошлом квартале получила рекордную выручку. По итогам года в целом профильная выручка выросла на 72 % до $7,2 млрд, но эта сумма соответствует только 29 % всей выручки компании.

Срез выручки четвёртого фискального квартала по направлениям деятельности выглядит таким образом: вычислительные и сетевые решения, охватывающие серверный сегмент, прибавили последовательно 17 % до $3 млрд, мобильное подразделение в силу сезонных явлений прибавило в выручке на 18 % последовательно до $1,9 млрд. В сегменте систем хранения данных рост выручки почти на четверть последовательно до $1,7 млрд был вызван спросом на твердотельные накопители серверного назначения, в этой сфере был установлен новый рекорд по выручке. Строго говоря, выручка от реализации NAND по итогам всего фискального года тоже была рекордной для Micron. Наконец, в сегменте встраиваемых решений выручка Micron сократилась на 9 % в последовательном сравнении до $1,2 млрд.

Двух бывших топ-менеджеров Samsung арестовали за передачу полупроводниковых технологий в Китай

Полиция Южной Кореи арестовала двух бывших высокопоставленных сотрудников Samsung по подозрению в краже технологий в пользу Китая — это принесло компании ущерб на сумму более 4,3 трлн вон ($3,2 млрд), пишет Bloomberg со ссылкой на заявление ведомства.

 Источник изображения: samsung.com

Источник изображения: samsung.com

Арестованные оказывали помощь китайским чиновникам при строительстве завода полупроводниковой продукции, рассказало накануне управление полиции Сеула. Один из корейских бывших топ-менеджеров, 66-летний мужчина по фамилии Чой (Choi), нанял в своей стране экспертов в области микросхем и через совместное предприятие передал партнёрам технологии памяти, принадлежащие Samsung. Время и место совершения предполагаемого преступления в Китае в правоохранительных органах не назвали. Но некоторые подробности совпадают с подробностями дела, о котором стало известно в 2023 году, когда из-за санкций обострились отношения между Пекином и Вашингтоном. Тогда по подозрению в краже чертежей был задержан один из руководителей Samsung — он, по версии следствия, пытался воссоздать в Китае целый завод по производству полупроводников.

Южная Корея является мировым лидером в области производства чипов памяти и ключевым союзником Вашингтона, стремящегося сдержать технологическое развитие Китая. Последний инцидент связан с корейско-китайским СП Chengdu Gaozhen — Чой был его руководителем, а помогал ему конструктор завода по фамилии О (Oh). Корейские специалисты в прошлом году оказали помощь китайским властям в производстве микросхем DRAM по технологии 20 нм. Это не только нанесло ущерб Samsung, но и «ослабило конкурентоспособность страны в условиях мировой войны в области микросхем», заявили в правоохранительных органах. В полиции также добавили, что работу китайского предприятия удалось приостановить, но дальнейшие утечки технологий продолжают расследоваться. В Samsung от комментариев отказались.

Samsung и SK hynix наращивают производство DRAM из-за высокого спроса на ИИ

Крупные технологические компании в 2024 году увеличили инвестиции в искусственный интеллект, благодаря чему операционная маржа Samsung и SK hynix, как ожидают аналитики, превысит 40 %. Два корейских производителя решили расширить сегмент DRAM — благодаря интенсивному росту ИИ он обещает превзойти остальное полупроводниковое производство.

 Источник изображения: skhynix.com

Источник изображения: skhynix.com

Samsung построит производственную линию PH3 для DRAM и других компонентов на заводе в Пхёнтхэке в провинции Кёнгидо и приостановит строительство чистой комнаты для контрактного полупроводникового производства, узнало издание Korea Electronic Daily. На заводе будут выпускаться чипы DRAM для памяти HBM, которая станет устанавливаться на ИИ-ускорители AMD. Капитальные затраты Samsung на DRAM за исключением расходов на строительство зданий по итогам 2024 года вырастут на 9,2 % и достигнут $9,5 млрд — это рекордный показатель с 2020 года. А в 2025 году они, как ожидается, увеличатся ещё сильнее и достигнут $12 млрд.

SK hynix в минувшем году была вынуждена сократить производство, а теперь готова более чем утроить расходы на сектор DRAM: в 2023 году они были $2,3 млрд, а в 2024 году могут достичь $7,1 млрд. Глобальный рынок чипов памяти растёт: отрасль, которая включает в себя DRAM и NAND, в этом году готова продемонстрировать почти двухкратный рост до $175 млрд — для сравнения, рынок полупроводникового производства, на котором доминирует TSMC, остановится на $120,3 млрд. В 2025 году рынок чипов памяти превысит отметку в $200 млрд, из которых на DRAM придутся $162 млрд.

 Источник изображения: samsung.com

Источник изображения: samsung.com

Samsung и SK hynix намереваются вложить миллиарды долларов в разработку продуктов нового поколения, включая технологию обработки данных в памяти (Processing In Memory — PIM) и интерфейс CXL (Computer Express Link). В начале года SK hynix получила заманчивое предложение от производителя ИИ-ускорителей, который попросил корейскую компанию построить выделенную линию по производству чипов памяти и обещал внести авансовый платёж более чем в 500 млрд вон ($372,41 млн). Но SK hynix была вынуждена отклонить это предложение, поскольку уже обязалась поставить продукцию на 1 трлн вон ($744,81 млн) для Nvidia — мирового лидера в сегменте ИИ-ускорителей.

В этом году 13 крупнейших технологических компаний США и Китая, в том числе Google и Alibaba Group, намереваются вложить в центры обработки данных ИИ $226,2 млрд, и это на 33,7 % больше, чем в 2023 году. В 2025 году этот показатель вырастет дополнительно на 13,4 % до $256,6 млрд. Значительная часть этого бюджета, вероятно, будет потрачена на ИИ-ускорители, а значит, спрос на DRAM ещё останется высоким. Цены на память HBM, на которую приходятся 26 % ёмкости DRAM у Samsung и 28 % — у SK hynix, по состоянию на конец 2025 года будут в пять или шесть раз выше, чем на DDR5, что увеличит прибыльность обеих компаний. Рентабельность операционной прибыли Samsung и SK hynix составит более 40 %.

Рост цен на оперативную память замедлится, а флеш-память подешевеет к концу года

Эксперты TrendForce пришли к выводу, что в сложных макроэкономических условиях оживление спроса на рынке памяти постоянно спотыкается о новые препятствия, и наметившаяся было тенденция к росту цен к четвёртому кварталу во многом нивелируется. По крайней мере, в сегменте DRAM контрактные цены вырастут от силы на 3–8 %, а в сегменте NAND они даже опустятся на величину до 5 %.

 Источник изображения: Intel

Источник изображения: Intel

Производители модулей памяти DRAM, как отмечает источник, активно наращивают свои складские запасы необходимых для работы компонентов с третьего квартала прошлого года. В итоге ко второму кварталу текущего года «глубина» складских запасов выросла до 11–17 недель. Спрос на конечных рынках электронных устройств не восстанавливается такими темпами, как ожидалось. Запасы смартфонов в Китае превысили норму, а существующие модели ноутбуков клиенты покупать не торопятся, ожидая выхода новых систем на базе процессоров с функцией ускорения ИИ. Всё это приводит к сокращению спроса на подобные устройства.

Розничные поставки флеш-памяти NAND во втором квартале сократились в годовом сравнении на 40 %, и подобная динамика не позволяет участникам рынка надеяться на восстановление спроса во втором полугодии. В розничном сегменте на спрос негативно влияют высокая инфляция и высокие процентные ставки. Рост цен на микросхемы памяти при этом оказывает давление на норму прибыли производителей модулей памяти, а низкий спрос в рознице мешает повышать отпускные цены.

Смартфоны и ПК с функцией ускорения ИИ, по мнению представителей TrendForce, существенно на спрос в сегменте микросхем памяти повлиять в четвёртом квартале не смогут. Контрактные цены на DRAM в итоге не смогут заметно вырасти: в текущем квартале они поднимутся на 8–13 %, а в четвёртом увеличатся только на 3–8 %. Зато у памяти HBM проблем со спросом нет, и контрактные цены на данный вид продукции смогут прибавлять по 10–15 % ежеквартально. Цены на NAND вырастут в текущем квартале на 5–10 %, прежде чем упасть на 5 % в четвёртом. В 2025 году, по мнению экспертов, рост цен на DRAM будет стимулироваться в основном спросом на HBM, под выпуск которой перераспределяется всё больше мощностей. Из-за этого обычной DRAM выпускается меньше, и цены на неё растут.


window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Apple утверждает, что OpenAI уничтожает доказательства своей вины по делу о краже технологий 15 мин.
Новая статья: 10 флагманских процессоров Intel за 10 лет 8 ч.
AOC выпустила 27-дюймовый игровой монитор Agon AGP277KXM с подсветкой Mini-LED и двумя режимами: 5K@180 Гц и 1440p@360 Гц 8 ч.
Apple потеряла ключевого руководителя накануне смены гендира: Фил Шиллер оставил пост главы App Store 9 ч.
Nvidia заплатила $3,5 млрд за союз с MediaTek — вместе они бросают вызов фирменным ИИ-чипам Google и Amazon 11 ч.
Тим Кук эмоционально обратился к сотрудникам Apple в свой последний день на посту генерального директора 12 ч.
Meta внедряет роботов в ЦОД для замены людей, но пока процесс идёт очень медленно 13 ч.
CXMT запустила пробное производство памяти HBM3E 13 ч.
В недрах Марса обнаружилась массивная «тепловая аномалия» — возможно, это результат древнего космического ДТП 14 ч.
Никому ни слова: операторы ЦОД в США всё чаще заключают тайные соглашения в властями, прикрываясь NDA 14 ч.