|
Опрос
|
реклама
Быстрый переход
SK hynix намерена создать первые в мире чипы DDR5 на передовом техпроцессе 1c
29.08.2024 [12:23],
Павел Котов
Компания SK hynix объявила о разработке первого в отрасли чипа DDR5 ёмкостью 16 Гбит, который будет выпускаться по технологическому процессу 1c — это самое передовое, шестое поколение технологии производства 10-нм класса.
Источник изображения: news.skhynix.com Со сменой поколений технологий 10-нм класса конструкция компонентов DRAM усложняется, а плотность памяти растёт — теперь SK hynix сообщила, что ей первой на рынке удалось преодолеть технологические ограничения и обозначить переход на производственные нормы нового поколения. Новая технология 1c обещает повышение производительности и ценовой конкурентоспособности. Будучи реализованной для DDR5, она в перспективе будет адаптирована и для других продуктов, в том числе HBM, LPDDR6 и GDDR7. «Мы продолжим работать над закреплением лидерства в области DRAM и позиции самого надёжного поставщика решений памяти для ИИ», — заявил глава отдела разработки DRAM Ким Чжонхван (Kim Jonghwan). Массовое производство чипов DDR5 с использованием технологии 1c будет готово к запуску в течение года, а уже в 2025-м SK hynix намеревается начать массовые поставки этой продукции. Компания внедрила новые материалы при работе оборудования со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) и добилась повышения производительности на 30 %, изменив конструкционное исполнение компонентов. Чипы DDR5 нового поколения 1c будут работать на скорости до 8 Гбит/с — на 11 % быстрее компонентов предыдущего, а их энергоэффективность удалось повысить более чем на 9 %. Развёртывание памяти нового образца в центрах обработки данных поможет предприятиям снизить расходы на электроэнергию на 30 %, подсчитали в SK hynix — это важно, потому что в эпоху активного использования оборудования для систем искусственного интеллекта потребление энергии преимущественно растёт. TeamGroup представила экологичные модули памяти T-Force Delta RGB ECO DDR5 и внешний SSD PD20 ECO Mini
27.08.2024 [13:11],
Николай Хижняк
В рамках стратегии по переходу на экологически чистые материалы компания TeamGroup представила оперативную память T-Force Delta RGB ECO DDR5 для настольных ПК, а также внешний твердотельный накопитель Team Group PD20 ECO Mini, большая часть компонентов которых изготовлена из переработанных материалов.
Источник изображений: TeamGroup У модулей оперативной памяти радиатор на 80 % состоит из переработанного алюминия, а для изготовления световодов RGB-подсветки модулей используется 100 % переработанного PCR-пластика. По словам производителя, благодаря этому углеродный след от производства каждого модуля сокращён до 73 %. В свою очередь, пластиковый корпус накопителей Team Group PD20 ECO Mini на 75 % выполнен из пластика, подлежащего переработке по стандарту FSC. Компания поясняет, что при производстве каждых 100 тыс. корпусов этих внешних SSD используется пластик около 42,2 тыс. переработанных пластиковых бутылок. Сами модули памяти T-Force Delta RGB ECO DDR5 будут предлагаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2x16) или 64 (2x32) Гбайт, со скоростью 5600 и 6000 МГц и таймингами CL32, CL38 и CL40. Они поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Внешний накопитель Team Group PD20 ECO Mini обеспечивает скорость передачи данных до 1000 Мбайт/с, оснащён интерфейсом USB 3.2 Gen2 Type-C и будет предлагаться в объёмах до 4 Тбайт. Размеры SSD составляют 75 × 34 × 15,2 мм, а вес равен всего 22 г. О стоимости новинок производитель ничего не сообщил. SK hynix подняла цены на DDR5-память на 15-20 %
14.08.2024 [12:02],
Алексей Разин
Ведущим производителем передовых версий памяти HBM остаётся компания SK hynix, которая в то же время уступает Samsung Electronics по общим масштабам производства. Необходимость переориентировать под выпуск HBM3 и HBM3E часть линий по производству DDR5 вынуждает участников рынка повышать цены на последний тип продукции. В результате SK hynix повысила цены на DDR5 на 15–20 %.
Источник изображения: SK hynix Если бы рост цен осуществлялся за счёт более естественных факторов цикличного возвращения спроса на DRAM, то он не был бы таким заметным. Развитие систем искусственного интеллекта провоцирует рост спроса не только на микросхемы HBM, но и классическую DDR, поскольку требуются всё новые серверные мощности, которые за счёт одних только ускорителей вычислений с памятью HBM не масштабируются. В этом году SK hynix рассчитывает переориентировать на выпуск HBM более 20 % своих мощностей по выпуску DRAM, тогда как Samsung Electronics готова пожертвовать 30 % существующих линий по выпуску DRAM. Правда, чтобы реализовать эти намерения с наибольшей отдачей, Samsung сначала должна заручиться крупными заказами от той же Nvidia, а пока из комментариев представителей южнокорейской компании понятно лишь то, что процесс сертификации данной продукции под требования этого заказчика всё ещё продолжается. G.Skill представила модули памяти Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal DDR5-6400 с низкими задержками
14.08.2024 [01:37],
Николай Хижняк
Компания G.Skill анонсировала выпуск модулей оперативной памяти серий Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal со скоростью 6400 МТ/с и низкими таймингами CL30-39-39-102. Новинки будут предлагаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2x16) Гбайт.
Источник изображений: G.Skill Для представленных модулей ОЗУ производитель заявляет поддержку профилей разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Планки памяти Trident Z5 RGB оснащаются белыми и чёрно-белыми радиаторами охлаждения с RGB-подсветкой. Более премиальные модули памяти Trident Z5 Royal оснащены зеркальными радиаторами серебристого и золотого цветов, также имеющими RGB-подсветку. Для всех представленных модулей ОЗУ Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal DDR5-6400 CL30-39-39-102 заявляется рабочее напряжение в 1,40 В. Производитель не сообщил стоимость новинок, но отметил, что в продаже они появятся в этом месяце. Klevv представила модули памяти CRAS V RGB ROG Certified DDR5 со скоростью до 7400 МГц
13.08.2024 [19:37],
Николай Хижняк
Компания Klevv представила модули оперативной памяти CRAS V RGB ROG Certified DDR5, сертифицированные Asus ROG и поддерживающие профиль разгона DDR5-7400. Новинки будут предлагаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2 × 16) и 48 (2 × 24) Гбайт.
Источник изображений: Klevv Базовая скорость модулей ОЗУ Klevv CRAS V RGB ROG Certified DDR5 составляет 7200 МТ/с. Они работают с таймингами CL34-44-44-84. При установке в материнские платы Asus ROG указанные модули ОЗУ смогут работать на скорости 7400 МТ/с с таймингами CL36-46-46-86. Рабочее напряжение новинок составляет 1.4 В. Они поддерживают профили разгона Intel XPM 3.0 и AMD EXPO. Модули оперативной памяти Klevv CRAS V RGB ROG Certified DDR5 имеют размеры 133.3 × 44 × 8 мм. Они оснащены радиаторами охлаждения с толщиной 2 мм, которые быстро рассеивают тепло от нагревающихся элементов планок ОЗУ. Также новинки имеют ARGB-подсветку с поддержкой самых популярных приложений для управления RGB-подсветкой, включая Asus Aura Sync, Gigabyte RGB Fusion 2.0, MSI Mystic Light и ASRock Polychrome Sync. На модули памяти Klevv CRAS V RGB ROG Certified DDR5 предоставляется пожизненная гарантия производителя. Стоимость новинок не сообщается. В продаже они появятся в этом месяце. Новая статья: Ускоряем Ryzen 7 7800X3D двухранговыми модулями Acer Predator Hermes RGB DDR5-6400 2×32 Гбайт
05.08.2024 [01:41],
3DNews Team
Данные берутся из публикации Ускоряем Ryzen 7 7800X3D двухранговыми модулями Acer Predator Hermes RGB DDR5-6400 2×32 Гбайт Colorful представила оперативную память iGame Jiachen Zhilong DDR5 в стиле китайского года дракона
27.07.2024 [11:52],
Анжелла Марина
Компания Colorful представила серию модулей оперативной памяти iGame Jiachen Zhilong DDR5, созданную в едином стиле с ранее выпущенными материнскими платами ограниченной серии Dragon Year («Год Дракона»). Эта высокопроизводительная память адресована пользователям, которые ценят не только производительность, но и эстетику.
Источник изображения: Colorful Первый комплект памяти в новой линейке имеет объём 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт) и работает на частоте 6800 МГц с таймингами CL34. Ключевой особенностью модулей является эффектный теплоотвод с дизайном Dragon Scale (драконья чешуя) и RGB-подсветкой в виде дракона. Дизайн серии Jiachen Zhilong вдохновлён традиционной китайской цветовой гаммой, включая красный Zheng Li и золотой Jin Xiang. На лицевой стороне модулей можно увидеть узоры в виде облаков Xiang Yun и летящих фениксов Yu Feng, а на обратной стороне расположена эмблема Jiachen Zhilong. Общий вид дополняется золотой окантовкой и многослойными волоконно-оптическими световодами, символизирующими «восхождение шаг за шагом» (rising step by step).
Источник изображения: Colorful С технической точки зрения известно, что новая память использует высококачественные чипы от SK hynix и обеспечивает скорость передачи данных до 6800 МТ/с. Поддерживается технология XMP 3.0 для простого разгона в один клик, интеллектуальный контроль температуры PMIC для оптимального теплового режима и ON-Die ECC для автоматического исправления ошибок, гарантирующего целостность данных и стабильность работы. Хотя в настоящий момент на JD.com доступна только 48-гигабайтная версия, на странице продукта есть намёк на будущий выпуск варианта объёмом 32 Гбайт. Ожидается, что эта версия с меньшей ёмкостью сохранит тайминги CL34, но справляться со своими задачами на 100 % сможет при более высоком рабочем напряжении в 1,4 Вт. На данный момент комплект доступен на китайской площадке JD.com по цене 1399 юаней (около 16 600 рублей). Электроника будет дорожать из-за роста цен на DRAM и NAND в этом и следующем году
22.07.2024 [20:20],
Анжелла Марина
Согласно последнему отчёту аналитической компании TrendForce, глобальная выручка от продаж компьютерной памяти DRAM и NAND в 2024 году вырастут на 75 % и 77 % соответственно. Этот рост будет обусловлен несколькими факторами, включая увеличение спроса и популярности высокопроизводительной памяти HBM.
Источник изображения: Micron Кроме того, ожидается, что продажи в этих сферах будут продолжать расти и в 2025 году. При этом DRAM вырастет на 51 %, а NAND — на 29 %, достигнув рекордных показателей. Рост будут стимулировать увеличение капитальных расходов и повышенный спрос на первичные сырьевые материалы для Upstream-производства, такие как кремниевые пластины и химические вещества, одновременно увеличив ценовое давление на покупателей памяти. По оценкам TrendForce, благодаря увеличению средних цен на DRAM на 53 % в 2024 году выручка от продаж DRAM достигнет 90,7 млрд долларов США в 2024 году, что на 75 % больше по сравнению с предыдущим годом. В следующем году средняя цена вырастет ещё на 35 %, а выручка достинет 136,5 млрд долларов США, что на 51 % больше по сравнению с 2024 годом. Ожидается также, что в 2024 году на долю HBM придётся 5 % от общего объёма поставок DRAM и 20 % от выручки.
Источник изображения: TrendForce Кроме того, популярность таких типов памяти, как DDR5 и LPDDR5/5X, также будет способствовать увеличению средней цены на рынке. Ожидается, что к 2025 году доля DDR5 на рынке серверной памяти достигнет 60-65 %, а LPDDR5/5X займёт 60 % рынка мобильных устройств. В сегменте флеш-памяти NAND рост будет стимулироваться внедрением 3D QLC — технологии, которая позволяет хранить больше данных на одном чипе. По прогнозам, в 2024 году на долю QLC будет приходиться 20 % от общего объёма поставок NAND, а в 2025 году этот показатель должен увеличится. При этом внедрение QLC на смартфонах и серверах станет ключевым фактором роста этого сегмента.
Источник изображения: TrendForce Ситуация повлияет и на рынок, и на потребителей. Рекордная выручка позволит производителям памяти увеличить инвестиции в исследования и разработки, а также расширить производство. Прогнозируется рост капитальных затрат в индустрии DRAM и NAND на 25 % и 10 % соответственно в 2025 году. Однако рост цен на память неизбежно приведёт к удорожанию электроники для конечных потребителей. При этом производителям электроники будет сложно переложить все расходы на покупателей, что может привести к снижению прибыли и, не исключено, что к снижению спроса. JEDEC раскрыл детали о будущих модулях памяти DDR5 MRDIMM и LPDDR6 CAMM для высокопроизводительных вычислений и ИИ
22.07.2024 [19:51],
Сергей Сурабекянц
Комитет стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) сегодня раскрыл ключевые подробности о будущих стандартах модулей памяти DDR5 MRDIMM (Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module) и LPDDR6 CAMM (Compression-Attached Memory Module). Ожидается, что новые модули произведут революцию в отрасли благодаря беспрецедентной пропускной способности и объёму памяти.
Источник изображения: Micron Стандарт JEDEC MRDIMM обеспечивает вдвое большую пиковую пропускную способность по сравнению со стандартной DRAM, позволяя приложениям достигать новых уровней производительности. Он поддерживает те же функции ёмкости, надёжности, доступности и удобства обслуживания, что и JEDEC RDIMM. Пропускная способность памяти возрастёт до 12,8 Гбит/с. Предполагается, что MRDIMM будет поддерживать более двух рангов с использованием стандартных компонентов DIMM DDR5, обеспечивающих совместимость с обычными системами RDIMM. Модули DDR5 MRDIMM представляют собой инновационную и эффективную конструкцию, позволяющую повысить скорость передачи данных и общую производительность системы. Мультиплексирование позволяет объединять и передавать несколько сигналов данных по одному каналу, эффективно увеличивая полосу пропускания без необходимости дополнительных физических соединений. Другие запланированные функции включают в себя:
Сообщается о планах по созданию модулей памяти формфактора Tall MRDIMM, который обеспечит более высокую пропускную способность и ёмкость без изменений в упаковке DRAM. Этот более высокий формфактор позволит установить в два раза больше однокристальных корпусов DRAM без необходимости использования корпуса формата 3DS. В качестве развития стандарта JESD318 CAMM2 разрабатывается стандарт модуля следующего поколения LPDDR6 CAMM, рассчитанный на максимальную скорость более 14,4 ГТ/с. Модуль будет использовать 48-битный канал, состоящий из двух 24-битных подканалов и оснащаться разъёмом, что исключит необходимость распайки на материнской плате. Память LPDDR характеризуется сниженным энергопотреблением по сравнению с обычными модулями ОЗУ и, как правило, применяется в компактных и тонких ноутбуках, а также в смартфонах и планшетах. Эти проекты в настоящее время находятся в разработке в Комитете JC-45 JEDEC по модулям DRAM. JEDEC призывает компании присоединиться и помочь сформировать будущее стандартов JEDEC. Членство предоставляет доступ к предварительным публикациям предложений и даёт раннюю информацию об активных проектах. Всего в JEDEC зарегистрировано 332 компании, которые в том или ином виде используют принятые организацией спецификации различных видов оперативной памяти. G.Skill представила флагманские модули памяти DDR5 Trident Z5 Royal Neo для AMD Ryzen 9000 — до 8000 МТ/с
19.07.2024 [16:44],
Николай Хижняк
Компания G.Skill представила комплекты модулей оперативной памяти DDR5 Trident Z5 Royal Neo, разработанные специально для платформы AMD Socket AM5. Новинки получили поддержку профилей разгона EXPO (Extended Profiles for Overclocking).
Источник изображений: G.Skill Производитель выпустит двухканальные комплекты объёмом 32 и 48 Гбайт, состоящие из пар модулей на 16 и 24 Гбайт соответственно. Будут предложены модули со скоростью до 8000 МТ/c и латентностью до CL38-48-48-127. Как и подобает серии G.Skill Royal, модули памяти оснащены блестящими радиаторами в золотом или серебряном исполнении, а также продвинутой RGB-подсветкой с оформлением в стиле кристаллов. G.Skill отмечает, что память DDR5 Trident Z5 Royal Neo полностью совместима с новейшими процессорами AMD Ryzen 9000 и работает в режиме DDR5-8000 со схемой делителя частоты 1:2, выставленной в BIOS материнской платы. В продаже модули памяти G.Skill DDR5 Trident Z5 Royal Neo появятся в августе. Их стоимость компания не сообщила. Память DDR4 подорожала, поскольку покупатели не хотят переплачивать за DDR5
10.07.2024 [15:41],
Анжелла Марина
Стоимость чипов оперативной памяти типа DDR4 заметно выросла в последнее время, несмотря на высокий уровень запасов и распространение памяти DDR5. Покупатели по-прежнему предпочитают DDR4 более новой DDR5 из-за того, что последняя продаётся по значительно более высокой цене, сообщает TrendForce в последнем отчёте о тенденциях цен на компьютерную память. ![]() По данным аналитиков, средняя спотовая цена на популярные чипы DDR4 1Gx8 2666MT/s выросла на 2,92 % — с $1,918 на прошлой неделе до $1,974 на этой неделе. Поставщики чипов оперативной памяти намерены стабилизировать спотовые цены на продукцию DDR4. Тем не менее, эксперты отмечают, что для определения наметившегося роста необходим дальнейший мониторинг уровня запасов.
Источник изображениq: Trendforce В то же время, спотовый рынок флеш-памяти NAND остаётся вялым, а цены на различные продукты начали снижаться после того, как цена на 512-гигабитные TLC-чипы в пластинах упала ниже порога в 3 доллара за штуку на прошлой неделе. При этом покупатели осторожно относятся к ценовым запросам, несмотря на замедление снижения спотовых цен, что не оставляет поводов для оптимизма в отношении сделок. ![]() Kingston выпустила память Fury Renegade RGB Limited Edition DDR5 с гоночным дизайном и скоростью до 8000 МТ/с
24.06.2024 [19:28],
Николай Хижняк
Компания Kingston выпустила комплект оперативной памяти Fury Renegade RGB Limited Edition стандарта DDR5. Дизайн модулей памяти вдохновлён внешним видом спорткаров. Память оснащена трёхцветными радиаторами с RGB-подсветкой на основе 12 светодиодов с поддержкой 18 различных эффектов.
Источник изображений: Kingston Оперативная память Fury Renegade RGB Limited Edition предлагается только в виде одного комплекта, состоящего из двух модулей ОЗУ по 24 Гбайт каждый. Для оперативной памяти заявляется поддержка трёх профилей автоматического разгона XMP 3.0: DDR5-6400 с таймингами CL32-39-39 при напряжении 1,4 В, DDR5-7200 с таймингами CL38-44-44 при напряжении 1,45 В и DDR5-8000 с таймингами CL36-48-48 при рабочем напряжении 1,45 В. Также доступен базовый профиль JEDEC DDR5-4800 с таймингами CL40-39-39 и рабочим напряжением 1,1 В. Компания отмечает, что ОЗУ Fury Renegade RGB Limited Edition разработана специально для процессоров Intel Core 14-го поколения (Raptor Lake Refresh), а потому можно объяснить отсутствие у данного комплекта памяти профилей разгона AMD EXPO. О стоимости комплекта оперативной памяти Fury Renegade RGB Limited Edition производитель не сообщил. «Царь во дворца»: G.Skill представила флагманскую оперативную память Trident Z5 Royal DDR5
24.05.2024 [17:55],
Николай Хижняк
Компания G.Skill представила флагманскую серию оперативной памяти Trident Z5 Royal DDR5. Эти модули ОЗУ выделяются классическим премиальным дизайном, сочетающим радиаторы с зеркальным покрытием серебряного и золотого цветов, а также премиальной ARGB-подсветкой, оформленной в виде кристаллов.
Источник изображений: G.Skill Производитель делает акцент на то, что каждый радиатор модуля памяти Trident Z5 Royal DDR5 вырезается из алюминия с помощью станка ЧПУ и проходит гальваническую обработку для придания знаменитого блеска, соответствующего высокому имени серии G.Skill Royal. Память Trident Z5 Royal DDR5 разработана для разгона и будет выпускаться в виде двухканальных комплектов DDR5-8400 с таймингами CL40 общим объёмом 48 или 96 Гбайт. Соответственно наборы будут включать по два модуля на 24 и 48 Гбайт. Для новинок заявляется поддержка профилей разгона Intel XMP 3.0. Управление ARGB-подсветкой модулей памяти Trident Z5 Royal можно осуществлять через фирменную утилиту G.Skill Trident Z Lighting Control или через популярное стороннее программное обеспечение для управления подсветкой материнской платы. В продаже комплекты памяти G.Skill Trident Z5 Royal DDR5 появятся до конца текущего месяца. Стоимость ОЗУ не сообщается, но учитывая культовый статус серии, память будет недешёвой. G.Skill представила комплекты памяти Ripjaws M5 RGB со скоростью до 6400 МТ/с и объёмом до 96 Гбайт
16.05.2024 [17:36],
Николай Хижняк
Компания G.Skill представила новую серию модулей оперативной памяти Ripjaws M5 RGB, которые сертифицированы для применения в системах на процессорах Intel. В неё вошли двухканальные комплекты ОЗУ общим объёмом до 96 Гбайт.
Источник изображений: G.Skill На старте новой серии производитель сможет предложить комплекты памяти Ripjaws M5 RGB DDR5 со скоростью до 6400 МТ/с и таймингами CL32-39-39-102. На выбор будут доступны двухканальные комплекты общим объёмом 32 (2× 16) и 64 (2× 32), 96 (2× 48) Гбайт. С полным списком доступных комплектов памяти G.Skill Ripjaws M5 RGB можно ознакомиться в таблице ниже. Для всех заявляется поддержка профилей разгона Intel XMP 3.0. Новинки будут предлагаться с белыми или чёрными матовыми алюминиевыми радиаторами, оснащёнными RGB-подсветкой. Высота модулей памяти вместе с радиаторами составляет 41 мм. В продаже модули ОЗУ Ripjaws M5 RGB появятся уже в этом месяце. В этом квартале цены на память DRAM вырастут более чем на 20 %
05.05.2024 [09:01],
Алексей Разин
С начала текущего года цены на микросхемы оперативной памяти и без того росли с переменным успехом после прошлогоднего затоваривания, а землетрясение на Тайване в начале апреля придало им дополнительный стимул. В результате, контрактные цены на DRAM вырастут во втором квартале на 20 или 25 %, как считают эксперты TrendForce.
Источник изображения: Samsung Electronics Растущий спрос на оперативную память уже заставил южнокорейских производителей поднять цены, только в мае микросхемы DDR5 подорожают на 13 %, а DDR4 — где-то на 10 %. Для тайваньских поставщиков, которые в основном зарабатывают на выпуске микросхем DDR3, открывается возможность поднять цены на свою продукцию на 10–15 %. В целом, по мнению источника, контрактные цены на DRAM во втором квартале вырастут на 20–25 %. Землетрясение, которое максимально проявило себя 3 апреля текущего года у восточного побережья Тайваня, причинило ограниченный ущерб местным предприятиям по производству оперативной памяти. По сути, к 8 апреля основные предприятия Micron, Nanya и Winbond уже полностью восстановили выпуск микросхем памяти на Тайване, а в случае с Micron и PSMC на отдельных площадках производительность к тому времени достигала 80–90 % от максимальной. По оценкам TrendForce, апрельское землетрясение от силы сократило объёмы выпуска DRAM на Тайване на 1 % в масштабах всего второго квартала. Впрочем, это не помешало Micron поднять цены на DRAM и SSD на 25 % по итогам оценки ущерба и рыночной ситуации в целом. Samsung выпуск DDR3 свернула досрочно, из-за чего многие покупатели этого типа памяти вынуждены были обратиться к Nanya и Winbond за дополнительными заказами, а те в итоге подняли цены на второй квартал на 10–15 %. Переход на выпуск более современных типов памяти усугубляет дефицит старых и способствует росту цен. Ко втором полугодию спрос будет опережать предложение на 20–30 %, по мнению представителей TrendForce. Сейчас производители DDR3 вынуждены продавать память по цене ниже себестоимости, и во втором полугодии цены могут вырасти на 50 или даже 100 %. Тайваньским производителям памяти такая ситуация будет выгодна. |