|
Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Intel передумала запускать 2-нм техпроцесс 20A, а чипы Arrow Lake будет выпускать на стороне
05.09.2024 [07:46],
Алексей Разин
Компания Intel изначально планировала использовать техпроцесс 20A для адаптации к новшествам в компоновке транзисторов и подводу питания с оборотной стороны кремниевой пластины, не делая серьёзных ставок на него в серийном производстве. Теперь же она даёт понять, что решила «перепрыгнуть» через эту ступень литографии, и предлагать только изделия, выпускаемые по более совершенной технологии Intel 18A.
Источник изображения: Intel Об этом вполне открыто говорится в новом пресс-релизе на сайте Intel, описывающем ценность Intel 20A с точки зрения получения опыта. В рамках данного техпроцесса компания смогла внедрить структуру транзисторов RibbonFET и подвод питания к кремниевой пластине с оборотной стороны, которые изначально будут применяться при выпуске продукции по технологии Intel 18A. Как пояснил на этой неделе финансовый директор Intel Дэвид Зинснер (Davis Zinsner), компания решила не выводить на рынок техпроцесс 20A для концентрации ресурсов на внедрении более совершенного 18A. По прогнозам Intel, отказ от технологии 20A позволит сэкономить полмиллиарда долларов. Подобная смена приоритетов будет способствовать более быстрому внедрению техпроцесса Intel 18A в массовом производстве и достижению цели по освоению пяти новых техпроцессов за четыре года. Тем более, что плотностью дефектов в рамках техпроцесса Intel 18A на данном этапе компания очень довольна. Для потребительского сегмента отказ от техпроцесса Intel 20A будет иметь вполне осязаемые последствия: выпуск процессоров Arrow Lake будет доверен сторонним подрядчикам в сочетании с использованием собственных возможностей Intel по упаковке чипов. Вероятно, производство поручат TSMC. Финансовый директор Intel в силу специфики занимаемой должности говорил о перспективах выхода контрактного подразделения компании на самоокупаемость. Во-первых, с точки зрения взаимодействия с внешними заказчиками оно уже сейчас получает выручку от предоставления услуг по упаковке чипов. Глава компании Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) на прошлой неделе заявил, что все имеющиеся у Intel мощности по тестированию и упаковке чипов задействованы полностью уже сейчас, и количество сделок со сторонними клиентами в этой сфере утроится по итогам текущего года. Intel при этом будет расширять мощности по упаковке чипов. Переговоры ведутся как минимум с 12 потенциальными клиентами, но соответствующие заказы будут генерировать выручку лишь с 2026 года, как добавил Зинснер. В 2027 году, по его словам, контрактный бизнес Intel начнёт генерировать существенную выручку. Представитель Intel избежал обсуждения слухов о неудаче компании в попытке привлечь Broadcom в качестве клиента, готового получать от контрактного подразделения процессорного гиганта продукцию, выпускаемую по технологии Intel 18A. Зинснер пояснил, что основная часть запланированных сокращений штата на 15 % будет осуществлена до публикации следующего квартального отчёта в октябре. Субсидии и льготные кредиты по «Закону о чипах» Intel надеется получить не ранее конца текущего года, как признался финансовый директор компании. Intel достигла низкой плотности дефектов для техпроцесса 18A
05.09.2024 [04:27],
Анжелла Марина
На технологической конференции Deutsche Bank 2024 Intel раскрыла информацию о плотности дефектов своего передового техпроцесса 18A (1,8 нм). По словам компании, этот показатель свидетельствует о «здоровом» состоянии технологии и высоком уровне надёжности производственного процесса. Количество потенциальных заказчиков, заинтересованных в использовании 18A, растёт.
Источник изображения: Tom's Hardware Несмотря на недавнюю новость о неудачных тестах, произведённых одним из ключевых игроков в сфере сетевого оборудования и радиочипов компанией Broadcom, Intel утверждает, что количество клиентов, заинтересованных в использовании этой технологии, продолжает расти. По словам генерального директора компании Пэта Гелсингера (Pat Gelsinger), плотность дефектов (D0) уже снизилась до уровня ниже 0,4 дефекта на квадратный сантиметр. «Я рад сообщить, что для этого производственного процесса мы сейчас находимся ниже уровня плотности дефектов 0,4 d0, что свидетельствует о здоровом состоянии процесса», — заявил Гелсингер. В индустрии считается, что значение D0 ниже 0.5 дефекта на квадратный сантиметр (0,5 def/cm²) — это хороший показатель. А с учётом того, что до начала массового производства 18A остаётся ещё несколько кварталов, ожидается, что к этому моменту плотность дефектов станет ещё ниже. Для сравнения, плотность дефектов техпроцессов N7 и N5 тайваньской компании TSMC за три квартала до начала массового производства составляла около 0,33 дефекта на квадратный сантиметр, что примерно соответствует текущему состоянию 18A. При запуске массового производства N5 показатель D0 достиг 0,1 дефекта на квадратный сантиметр. Хотя плотность дефектов N3 на старте массового производства была выше, чем у N5, через пять-шесть кварталов она сравнялась с показателем N5, демонстрируя схожую динамику улучшения. Как сообщает Tom's Hardware, Intel планирует использовать 18A для производства собственных процессоров Panther Lake для персональных компьютеров и Clearwater Forest для дата-центров. Также на этом техпроцессе будет выпускаться процессор Diamond Rapids. Несколько недель назад Intel объявила о выпуске комплекта для разработки продуктов (PDK) версии 1.0 для 18A, что позволит как собственным разработчикам компании, так и её клиентам начать или завершить проектирование чипов на базе 18A. Среди заказчиков интерес к 18A проявили компания Microsoft, которая планирует использовать его для производства своих процессоров, и Министерство обороны США. «Сейчас у нас более десятка клиентов активно работают с нашим комплектом разработки 18A (PDK 1.0)», — сообщил Гелсингер. В общей сложности Intel ожидает запуска в производство восьми продуктов на базе 18A к середине 2025 года. SK hynix запустит массовое производство 12-слойных стеков памяти HBM3E в этом месяце
04.09.2024 [13:40],
Николай Хижняк
Южнокорейская компания SK hynix, второй по величине производитель микросхем памяти в мире, начнёт массовый выпуск 12-слойных стеков высокоскоростной памяти HBM3E к концу текущего месяца. Об этом пишет издание Reuters со ссылкой на заявление одного из руководителей высшего звена производителя.
Источник изображения: SK hynix Заявление о скором старте массового производства памяти HBM3E сделал Джастин Ким (Justin Kim), президент и глава подразделения SK hynix для ИИ-инфраструктуры, выступая на отраслевом форуме Semicon Taiwan в Тайбэе. SK hynix ещё в июле раскрыла планы по поставкам чипов памяти HBM нового поколения (12-слойных HBM3E). Производитель сообщил, что массовые поставки таких чипов запланированы на четвёртый квартал этого года, а памяти HBM4 начнутся со второй половины 2025 года. Память с высокой пропускной способностью (HBM) — это один из типов динамической памяти с произвольным доступом (DRAM). Стандарт был впервые представлен в 2013 году. Для экономии места и снижения энергопотребления эти чипы памяти состоят из нескольких кристаллов, наложенных друг на друга. Основное применение таких стеков памяти сегодня — специализированные графические ускорители для работы с алгоритмами искусственного интеллекта (ИИ). Использование памяти с высокой пропускной способностью позволяет обрабатывать огромные объёмы данных, необходимых для обучения моделей ИИ. В мае генеральный директор SK hynix Квак Но Чун (Kwak Noh-Jung) заявил, что компания набрала заказов на производство памяти HBM на весь 2024 год и почти закрыла весь 2025 год. Помимо SK hynix ключевыми поставщиками памяти HBM являются компании Micron и Samsung Electronics. SK hynix является основным поставщиком чипов HBM для Nvidia. В конце марта производитель поставил образцы памяти HBM3E одному из своих клиентов, однако в SK hynix отказались уточнять, кому именно. Техпроцесс 0,2 нм будет освоен к 2037 году, а 1,4 нм не получится без High-NA EUV — глава Imec
04.09.2024 [08:29],
Алексей Разин
Бельгийский исследовательский центр Imec сотрудничает с мировыми лидерами в сфере производства чипов, а потому его руководство может представлять путь развития всей полупроводниковой отрасли на несколько лет вперёд. По его мнению, к 2037 году производители чипов смогут освоить техпроцесс A2, а тремя годами позже удастся преодолеть барьер в 0,1 нм.
Источник изображения: Intel Если исходить из принятых TSMC обозначений, техпроцесс A2 соответствует литографическим нормам 0,2 нм или 2 ангстрема. Таким образом, в 2040 году полупроводниковая отрасль может преодолеть барьер в 1 ангстрем, если предсказания главы Imec Люка ван ден Хова (Luc Van den hove) оправдаются. Свои заявления он сделал на технологическом форуме в Тайване, работу которого широко освещали местные СМИ. В следующем году полупроводниковая отрасль приступит к производству 2-нм чипов, причём в рамках этого техпроцесса произойдёт смена структуры транзисторов с FinFET на нанолисты (Nanosheet), а в 2027 году после перехода на техпроцесс A7 будет внедрена структура транзисторов CFET. По мнению представителя Imec, выпуск чипов по технологии A14 будет подразумевать обязательный переход на использование оборудования с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV). Для TSMC миграция на High-NA EUV становится почти предопределённой. Напомним, что крупнейший в мире контрактный производитель чипов неоднократно заявлял об отсутствии намерений использовать такое оборудование при выпуске продукции по технологии A16. Её тайваньский гигант собирается освоить со второй половины 2026 года. |