Компания Kioxia объявила о начале поставок заинтересованным клиентам образцов памяти Triple-Level Cell (TLC) ёмкостью 1 Тбит (терабит), изготовленной с использованием технологии флеш-памяти BiCS FLASH 3D девятого поколения.
Источник изображения: Kioxia
Данные чипы предназначены для использования в составе твердотельных накопителей для ПК и ноутбуков, а также смартфонов с поддержкой искусственного интеллекта, оснащённых накопителями малого и среднего объёма, где требуется высокая производительность.
При производстве чипов памяти Kioxia использует технологии CMOS Direct Bonded to Array (CBA) и On-Pitch Select Gate Drain (OPS), одновременно развивая две отдельные линейки продуктов: память NAND девятого поколения, обеспечивающую высокую производительность при относительно низких инвестиционных затратах, и NAND десятого поколения, использующую передовые технологии многослойной компоновки для достижения высокой ёмкости и очень высокой производительности.
Чипы памяти BiCS FLASH 3D TLC девятого поколения обладают 230 слоями и сочетают технологии BiCS FLASH восьмого поколения с передовой технологией CMOS, что позволяет им обеспечивать скорость интерфейса NAND на уровне 4,8 Гбит/с. Это на 33 % выше, чем у памяти NAND восьмого поколения, и соответствует производительности чипов памяти NAND десятого поколения.