Samsung рассчитывает обеспечить скорость передачи информации с помощью HBM4E до 13 Гбит/с

Память типа HBM4E считается седьмым поколением соответствующей технологии, подразумевающей формирование стека из нескольких ярусов DRAM. В 2027 году Samsung Electronics намеревается наладить массовое производство HBM4E, обеспечив с её помощью увеличение скорости передачи информации в два с половиной раза относительно нынешней HBM3E.

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

10 флагманских процессоров Intel за 10 лет

Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)

Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Обзор смартфона Samsung Galaxy Z Flip8: исчезающий вид?

Источник изображения: Samsung Electronics

Как поясняет Business Korea со ссылкой на выступление представителей Samsung на OCP Global Summit 2025 в Калифорнии, компания рассчитывает поднять скорость передачи информации с помощью HBM4E до 13 Гбит/с на контакт. Если учесть, что HBM4E будет оснащаться 2048 контактами, результирующее быстродействие может достичь 3,25 Тбайт/с. При этом энергетическая эффективность HBM4E окажется в два с лишним раза выше, чем у HBM3E.

В январе текущего года Samsung рассчитывала увеличить пропускную способность HBM4E до 10 Гбит/с на контакт, поэтому прирост до 13 Гбит/с можно считать довольно серьёзным. Во многом такое изменение было спровоцировано Nvidia, которая запросила у своих потенциальных поставщиков памяти для ускорителей семейства Rubin увеличить пропускную способность HBM4 с 8 до 10 Гбит/с. Samsung и SK hynix решили поднять планку до 11 Гбит/с, Micron была вынуждена поступить аналогичным образом.

Соответственно, из-за такого роста пропускной способности HBM4 производителям придётся пересмотреть и характеристики потенциально более быстрой HBM4E, что Samsung формально и сделала. Важно, что результирующая пропускная способность такой памяти впервые в истории превысит 3 Тбайт/с.

Попутно Samsung рассказала о характеристиках LPDDR6, которая была стандартизована JEDEC в июле текущего года. Компания планирует улучшить энергетическую эффективность на 20 % по сравнению с LPDDR5X, а пропускную способность поднять до 114,1 Гбайт/с.

В сфере контрактного производства Samsung намеревается освоить массовый выпуск 2-нм продукции до конца этого года. Клиентом Samsung на этом направлении стал южнокорейский разработчик ускорителей ИИ — компания Rebellions. Соответствующие 2-нм процессоры смогут достигать частот от 3,5 до 4,0 ГГц. Это несколько выше, чем у выпускаемых TSMC по 4-нм технологии процессоров Nvidia Grace с архитектурой Arm, которые работают на частоте 3,44 ГГц.